公开(公告)号：US5965917A

公开(公告)日：1999-10-12

申请号：US225248

申请日：1999-01-04

申请人： Witold Maszara ,  Srinath Krisnan

发明人： Witold Maszara ,  Srinath Krisnan

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L27/01 ,  H01L27/12 ,  H01L31/0392

CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78615

摘要： A silicon-on-insulator MOSFET includes a silicon layer and an insulator layer positioned over a silicon substrate. An isolation region defines a silicon region positioned over the insulator layer. The silicon region further includes a source region, a drain region, and a doped body region. The drain region and source region do not extend to the bottom of the silicon region. A first metal conductor is electrically coupled to the side and top of the source region and the side of the body region. The first metal conductor establishes a potential at the body region to control floating body effects. A second metal conductor is electrically coupled to the top of the drain region.

摘要翻译： 绝缘体上硅MOSFET包括硅层和位于硅衬底上的绝缘体层。 隔离区域限定位于绝缘体层上方的硅区域。 硅区还包括源极区，漏极区和掺杂体区。 漏极区域和源极区域不延伸到硅区域的底部。 第一金属导体电耦合到源区域和身体区域的侧面的侧面和顶部。 第一金属导体在身体区域建立一个潜力来控制浮体效应。 第二金属导体电耦合到漏区的顶部。