公开(公告)号：US20050260922A1

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：US10851378

申请日：2004-05-21

申请人： Wee-chen Gan ,  Karen Wong ,  Kuo-Chun Wu

发明人： Wee-chen Gan ,  Karen Wong ,  Kuo-Chun Wu

IPC分类号： B24B37/04 ,  B24B49/00 ,  B24B49/16

CPC分类号： B24B37/013 ,  B24B49/16

摘要： A chemical mechanical polishing (CMP) method is disclosed in which a torque-based end-point algorithm is used to determine when polishing should be stopped. The end-point algorithm is applicable to situations where a ceria (CeO2) based CMP slurry is used for further polishing, pre-patterned and pre-polished workpieces (e.g., semiconductor wafers) which have a high friction over-layer (e.g., HDP-oxide) and a comparatively, lower friction and underlying layer of sacrificial pads (e.g., silicon nitride pads). A mass production wise, reliable and consistent signature point in the friction versus time waveform of a torque-representing signal is found and used to trigger an empirically specified duration of overpolish. A database may be used to define the overpolish time as a function of one or more relevant parameters.

摘要翻译： 公开了一种化学机械抛光（CMP）方法，其中使用基于扭矩的端点算法来确定何时停止抛光。 端点算法适用于将基于二氧化铈（CeO 2/2）的CMP浆料用于进一步抛光，预图案化和预抛光工件（例如，半导体晶片）的情况，其具有高的 摩擦过度层（例如，HDP氧化物）和相对较低的摩擦和下层的牺牲垫（例如，氮化硅垫）。 发现在扭矩表示信号的摩擦时间波形中的大规模生产明智，可靠和一致的签名点，并用于触发经验规定的过度推测的持续时间。 可以使用数据库来定义作为一个或多个相关参数的函数的过时时间。

公开(公告)号：US20070264827A1

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：US11431255

申请日：2006-05-09

申请人： Yi Ding ,  Xinyu Zhang ,  Wee-chen Gan

发明人： Yi Ding ,  Xinyu Zhang ,  Wee-chen Gan

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/7684 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521

摘要： A method for planarizing a surface in an integrated circuit manufacturing process provides a first film of a first material over a non-uniform surface, such as a surface including isolation trenches. The first material includes, for example, a polysilicon layer to be used to form floating gates in a non-volatile memory integrated circuit. A second film, which is a sacrificial film formed using a second material, such as silicon oxide, is then provided over the first film. Partial removal of the second film is carried out using chemical mechanical polishing until a portion of the first film is exposed using a first slurry that is selective to the first material. Thereafter, the remaining layer of the second film is removed, along with planarization of the surface, using a second slurry that is less selective, i.e., has a selectivity of the first film to the second film that is less than a predetermine value (e.g., 2:1).

摘要翻译： 用于在集成电路制造工艺中平坦化表面的方法在非均匀表面（例如包括隔离沟槽的表面）上提供第一材料的第一膜。 第一材料包括例如用于在非易失性存储器集成电路中形成浮置栅极的多晶硅层。 然后在第一膜上提供第二膜，其是使用第二材料形成的牺牲膜，例如氧化硅。 使用化学机械抛光进行部分去除第二膜，直到使用对第一材料有选择性的第一浆料暴露第一膜的一部分。 此后，使用较少选择性的第二浆料，即第一膜对第二膜的选择性小于预定值（例如，第二膜），除去第二膜的剩余层以及表面的平坦化。 ，2：1）。

公开(公告)号：US20050260924A1

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：US10851549

申请日：2004-05-21

申请人： Kuo-Chun Wu ,  Wee-chen Gan ,  Karen Wong

发明人： Kuo-Chun Wu ,  Wee-chen Gan ,  Karen Wong

IPC分类号： B24B37/04 ,  B24B53/007 ,  B24B49/00

CPC分类号： B24B53/017 ,  B24B37/042

摘要： A chemical mechanical polishing (CMP) method is disclosed in which a new polishing pad is broken-in and conditioned into a steady operating state while using a silica (SiO2) based CMP slurry and where the broken-in and conditioned pad is afterwards used for polishing patterned workpieces (e.g., semiconductor wafers) with a ceria (CeO2) based CMP slurry. The approach shortens break-in time and appears to eliminate a first wafer effect usually seen following break-in with ceria-based CMP slurries.

摘要翻译： 公开了一种化学机械抛光（CMP）方法，其中在使用基于二氧化硅（SiO 2/2））的CMP浆料的同时，将新的抛光垫破碎并调节至稳定的运行状态， 然后将调节垫用于用基于二氧化铈（CeO 2 N 2）的CMP浆料抛光图案化工件（例如，半导体晶片）。 该方法缩短了插入时间，并且似乎消除了通过二氧化铈基CMP浆料破裂后通常看到的第一晶片效应。

公开(公告)号：US20080318428A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12143500

申请日：2008-06-20

申请人： Yi Ding ,  Xinyu Zhang ,  Richard Wee-chen Gan

发明人： Yi Ding ,  Xinyu Zhang ,  Richard Wee-chen Gan

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

摘要： A method for planarizing a surface in an integrated circuit manufacturing process provides a first film of a first material over a non-uniform surface, such as a surface including isolation trenches. The first material includes, for example, a polysilicon layer to be used to form floating gates in a non-volatile memory integrated circuit. A second film, which is a sacrificial film formed using a second material, such as silicon oxide, is then provided over the first film. Partial removal of the second film is carried out using chemical mechanical polishing until a portion of the first film is exposed using a first slurry that is selective to the first material. Thereafter, the remaining layer of the second film is removed, along with planarization of the surface, using a second slurry that is highly selective, i.e., has a selectivity of the first film to the second film that is greater than a predetermine value (e.g., 16:1).

摘要翻译： 用于在集成电路制造工艺中平坦化表面的方法在非均匀表面（例如包括隔离沟槽的表面）上提供第一材料的第一膜。 第一材料包括例如用于在非易失性存储器集成电路中形成浮置栅极的多晶硅层。 然后在第一膜上提供第二膜，其是使用第二材料形成的牺牲膜，例如氧化硅。 使用化学机械抛光进行部分去除第二膜，直到使用对第一材料有选择性的第一浆料暴露第一膜的一部分。 此后，使用高度选择性的第二浆料，即第一膜对第二膜的选择性大于预定值（例如，第二膜），除去第二膜的剩余层以及表面的平坦化。 ，16：1）。