公开(公告)号：US20050176586A1

公开(公告)日：2005-08-11

申请号：US10513271

申请日：2003-05-02

申请人： Damian Hampshire ,  Niu Hoogiun

发明人： Damian Hampshire ,  Niu Hoogiun

IPC分类号： H01L39/12 ,  H01B13/00 ,  H01L39/24 ,  H01B1/00

CPC分类号： H01L39/2409 ,  H01L39/24 ,  H01L39/2406 ,  H01L39/2412

摘要： A method of increasing the upper critical field of a crystalline superconducting material is provided, which comprises the steps of converting the crystalline superconducting material to a substantially amorphous state, and then re compacting and crystallising the material. The method also has the effect of increasing the critical current density of the material, and is effective with both brittle and ductile superconductors.

摘要翻译： 提供了一种增加结晶超导材料的上临界场的方法，其包括以下步骤：将晶体超导材料转化为基本无定形的状态，然后重新压实和结晶材料。 该方法还具有增加材料的临界电流密度的作用，并且对脆性和延性超导体都是有效的。