公开(公告)号：US20060145098A1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：US10551784

申请日：2004-04-03

申请人： Jong-Soo Baek ,  Dong-Yeon Cho ,  Hanee Park ,  Han-Oh Park

发明人： Jong-Soo Baek ,  Dong-Yeon Cho ,  Hanee Park ,  Han-Oh Park

IPC分类号： G21G4/00

CPC分类号： G01N21/0332 ,  B01L7/52 ,  G01N21/6452 ,  G01N2021/6484

摘要： The present invention relates to an apparatus for real-time monitoring chemical reaction between various biomaterials. More particularly, the present invention directed to a real-time monitoring apparatus for biochemical reaction, which comprises parabolic mirror and/or an optical waveguide tube for effective irradiation of light over the whole plate with uniform intensity.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于实时监测各种生物材料之间的化学反应的装置。 更具体地说，本发明涉及一种用于生物化学反应的实时监测装置，其包括抛物面反射镜和/或光波导管，用于以均匀的强度在整个板上有效地照射光。

公开(公告)号：US08139210B2

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US10551784

申请日：2004-04-03

申请人： Jong-Soo Baek ,  Dong-Yeon Cho ,  Hanee Park ,  Han-Oh Park

发明人： Jong-Soo Baek ,  Dong-Yeon Cho ,  Hanee Park ,  Han-Oh Park

IPC分类号： G01J3/00

CPC分类号： G01N21/0332 ,  B01L7/52 ,  G01N21/6452 ,  G01N2021/6484

摘要： The present invention relates to an apparatus for real-time monitoring chemical reaction between various biomaterials. More particularly, the present invention directed to a real-time monitoring apparatus for biochemical reaction, which comprises parabolic mirror and/or an optical waveguide tube for effective irradiation of light over the whole plate with uniform intensity.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于实时监测各种生物材料之间的化学反应的装置。 更具体地说，本发明涉及一种用于生物化学反应的实时监测装置，其包括抛物面反射镜和/或光波导管，用于以均匀的强度在整个板上有效地照射光。

公开(公告)号：US09245966B2

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：US13242257

申请日：2011-09-23

申请人： Jae-Woo Park ,  Sung-Haeng Cho ,  Kyong-Sub Kim ,  Dong-Yeon Cho

发明人： Jae-Woo Park ,  Sung-Haeng Cho ,  Kyong-Sub Kim ,  Dong-Yeon Cho

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor includes a gate electrode, a gate insulating layer on the gate electrode, a semiconductor on the gate insulating layer, and a drain electrode and a source electrode on the semiconductor and spaced apart from each other. Each of the drain electrode and the source electrode includes a first metal diffusion preventing layer which prevents diffusion of metal atoms, and a second metal diffusion preventing layer on the first metal diffusion preventing layer. At least one of the first and second metal diffusion preventing layers includes grains in a columnar structure, which are in a direction substantially perpendicular to a lower layer. First grain boundaries of the first metal diffusion preventing layer and second grain boundaries of the second metal diffusion preventing layer are substantially discontinuous in a direction perpendicular to the semiconductor.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括栅电极，栅电极上的栅极绝缘层，栅极绝缘层上的半导体，以及半导体上的间隔开的漏电极和源电极。 漏电极和源电极中的每一个包括防止金属原子扩散的第一金属扩散防止层和第一金属扩散防止层上的第二金属扩散防止层。 第一和第二金属扩散防止层中的至少一个包括柱状结构中的大致垂直于下层的方向的晶粒。 第一金属扩散防止层的第一晶界和第二金属扩散防止层的第二晶界在垂直于半导体的方向上基本上不连续。