公开(公告)号：US20060151775A1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：US10524951

申请日：2003-08-20

申请人： Lloyd Christopher Hollenberg ,  Andrew Dzurak ,  Cameron Wellard ,  Alexander Hamilton ,  David Reilly ,  Gerard Milburn ,  Robert Clark

发明人： Lloyd Christopher Hollenberg ,  Andrew Dzurak ,  Cameron Wellard ,  Alexander Hamilton ,  David Reilly ,  Gerard Milburn ,  Robert Clark

IPC分类号： H01L31/109

CPC分类号： G06N99/002 ,  B82Y10/00 ,  Y10S977/933

摘要： Ionisation of one of a pair of dopant atoms (11, 12) in a substrate (13) creates a double well potential, and a charge qubit is realised by the location of one or more electrons or holes (14) within this potential. The dopant atoms may comprise phosphorous atoms, located in a silicon substrate. A solid state quantum computer may be formed using a plurality of pairs of dopant atoms (11, 12), corresponding gate electrodes (22, 23), and read-out devices comprising single electron transistors (24).

摘要翻译： 在衬底（13）中的一对掺杂剂原子（11,12）中的一个的电离产生双阱电位，并且通过在该电位内的一个或多个电子或空穴（14）的位置来实现电荷量子位。 掺杂剂原子可以包含位于硅衬底中的磷原子。 可以使用多对掺杂剂原子（11,12），对应的栅电极（22,23）和包括单电子晶体管（24）的读出器件来形成固态量子计算机。