公开(公告)号：US20140103498A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：US14136081

申请日：2013-12-20

Applicant: Micron Technology, Inc.

Inventor： Prashant Raghu ,  Yi Yang

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L23/564 ,  C09K13/04 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Methods and etchant compositions for wet etching to selectively remove a hafnium aluminum oxide (HfAlOx) material relative to silicon oxide (SiOx) are provided.

Abstract translation: 提供了用于湿蚀刻以相对于氧化硅（SiO x）选择性去除铪氧化铝（HfAlO x）材料的方法和蚀刻剂组合物。