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    Semiconductor device having contact of Si-Ge combined with cobalt silicide
    1.
    发明申请
    Semiconductor device having contact of Si-Ge combined with cobalt silicide 有权
    具有Si-Ge与硅化钴结合的半导体器件

    公开(公告)号：US20030127696A1

    公开(公告)日：2003-07-10

    申请号：US10310904

    申请日：2002-12-06

    申请人： ProMOS Technologies Inc.

    发明人： Brian S. Lee

    IPC分类号： H01L029/76

    CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76855 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/456

    摘要： The present invention provides a metal contact of SiGe combined with cobalt silicide and cobalt. The contact resistance is greatly lowered due to both the low Schottky Barrier Height of SiGe and the low sheet resistance of cobalt silicide. The cobalt layer can serve as a glue layer and diffusion barrier layer. Thus, no additional glue layer or diffusion barrier layer needs to be formed. Moreover, the metal contact of the present invention can be integrated with a DRAM by a hybrid contact method. Implantation contact is used in pFET regions and diffusion contact is used in nFET regions. This can reduce mask steps and production costs.

    摘要翻译： 本发明提供了与锗化钴和钴结合的SiGe的金属接触。 由于SiGe的低肖特基势垒高度和硅化钴的低电阻值，接触电阻大大降低。 钴层可以用作胶层和扩散阻挡层。 因此，不需要形成附加的胶层或扩散阻挡层。 此外，本发明的金属接触可以通过混合接触方法与DRAM集成。 植入接触用于pFET区域，扩散接触用于nFET区域。 这可以减少掩模步骤和生产成本。