公开(公告)号：US20120214296A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13458418

申请日：2012-04-27

申请人： Sangjin Hyun ,  Siyoung Choi ,  Yugyun Shin ,  Kang-Ill Seo ,  Hagju Cho ,  Hoonjoo Na ,  Hyosan Lee ,  Jun-Woong Park ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

发明人： Sangjin Hyun ,  Siyoung Choi ,  Yugyun Shin ,  Kang-Ill Seo ,  Hagju Cho ,  Hoonjoo Na ,  Hyosan Lee ,  Jun-Woong Park ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of forming the same. The method may include forming a metal oxide layer on a substrate and forming a sacrificial oxide layer on the metal oxide layer. An annealing process is performed on the substrate. A formation-free energy of the sacrificial oxide layer is greater than a formation-free energy of the metal oxide layer at a process temperature of the annealing process.

摘要翻译： 提供半导体器件及其形成方法。 该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层并在金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。 在基板上进行退火处理。 在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的无形成能大于金属氧化物层的无形成能。

公开(公告)号：US08183141B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US12581223

申请日：2009-10-19

申请人： Sangjin Hyun ,  Siyoung Choi ,  Yugyun Shin ,  Kang-Ill Seo ,  Hagju Cho ,  Hoonjoo Na ,  Hyosan Lee ,  Jun-Woong Park ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

发明人： Sangjin Hyun ,  Siyoung Choi ,  Yugyun Shin ,  Kang-Ill Seo ,  Hagju Cho ,  Hoonjoo Na ,  Hyosan Lee ,  Jun-Woong Park ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/00 ,  H01L21/16

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of forming the same. The method may include forming a metal oxide layer on a substrate and forming a sacrificial oxide layer on the metal oxide layer. An annealing process is performed on the substrate. A formation-free energy of the sacrificial oxide layer is greater than a formation-free energy of the metal oxide layer at a process temperature of the annealing process.

摘要翻译： 提供半导体器件及其形成方法。 该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层并在金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。 在基板上进行退火处理。 在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的无形成能大于金属氧化物层的无形成能。

公开(公告)号：US20100099245A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12581223

申请日：2009-10-19

申请人： Sangjin Hyun ,  Siyoung Choi ,  Yugyun Shin ,  Kang-III Seo ,  Hagju Cho ,  Hoonjoo Na ,  Hyosan Lee ,  Jun-Woong Park ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

发明人： Sangjin Hyun ,  Siyoung Choi ,  Yugyun Shin ,  Kang-III Seo ,  Hagju Cho ,  Hoonjoo Na ,  Hyosan Lee ,  Jun-Woong Park ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of forming the same. The method may include forming a metal oxide layer on a substrate and forming a sacrificial oxide layer on the metal oxide layer. An annealing process is performed on the substrate. A formation-free energy of the sacrificial oxide layer is greater than a formation-free energy of the metal oxide layer at a process temperature of the annealing process.

摘要翻译： 提供半导体器件及其形成方法。 该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层并在金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。 在基板上进行退火处理。 在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的无形成能大于金属氧化物层的无形成能。