公开(公告)号：US09466484B1

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：US14859491

申请日：2015-09-21

申请人： UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： Kun-Ju Li ,  Yu-Ting Li ,  Po-Cheng Huang ,  Fu-Shou Tsai ,  Wu-Sian Sie ,  I-Lun Hung ,  Chun-Tsen Lu ,  Shih-Ming Lin ,  Lan-Ping Chang

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/11

CPC分类号： H01L27/11 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/1116

摘要： A manufacturing method of a semiconductor device is provided. The manufacturing method includes the following steps. A plurality of fin structures are formed in a first area and a second area of a substrate. A first density of the fin structures in the first area is lower than a second density of the fin structures in the second area. A gate dielectric layer is formed on the fin structures. An amorphous silicon layer is formed on the gate dielectric layer and the fin structures in the first area and the second area. Part of the amorphous silicon layer which is disposed in the first area is annealed to form a crystalline silicon layer by a laser. The crystalline silicon layer disposed in the first area and the amorphous silicon layer disposed in the second area are polished.

摘要翻译： 提供一种半导体器件的制造方法。 该制造方法包括以下步骤。 在基板的第一区域和第二区域中形成多个翅片结构。 第一区域中的翅片结构的第一密度低于第二区域中的翅片结构的第二密度。 栅极电介质层形成在鳍结构上。 在第一区域和第二区域中的栅介质层和鳍结构上形成非晶硅层。 设置在第一区域中的非晶硅层的一部分被退火以通过激光形成晶体硅层。 设置在第一区域中的结晶硅层和设置在第二区域中的非晶硅层被抛光。