公开(公告)号：US20150085234A1

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：US14034396

申请日：2013-09-23

Applicant: United Microelectronics Corp.

Inventor： Yi-Ming Hsu ,  Feng-Ying Hsu ,  Chieh-Yu Tsai

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133553 ,  G02B5/0816 ,  G02B5/0875 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/136277

Abstract: The present invention provides a LCOS device including a silicon substrate, a first dielectric layer, a first mirror layer, a second dielectric layer, and a second mirror layer. The first dielectric layer is disposed on the silicon substrate. The first mirror layer is disposed on the first dielectric layer. The second dielectric layer is disposed on the first mirror layer. The second minor layer is disposed on the second dielectric layer.

Abstract translation: 本发明提供一种包括硅衬底，第一介电层，第一镜层，第二介电层和第二镜层的LCOS器件。 第一电介质层设置在硅衬底上。 第一镜层设置在第一电介质层上。 第二介电层设置在第一镜层上。 第二次要层设置在第二电介质层上。

公开(公告)号：US09341884B2

公开(公告)日：2016-05-17

申请号：US14034396

申请日：2013-09-23

Applicant: United Microelectronics Corp.

Inventor： Yi-Ming Hsu ,  Feng-Ying Hsu ,  Chieh-Yu Tsai

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02B5/08

CPC classification number: G02F1/133553 ,  G02B5/0816 ,  G02B5/0875 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/136277

Abstract: The present invention provides a LCOS device including a silicon substrate, a first dielectric layer, a first mirror layer, a second dielectric layer, and a second mirror layer. The first dielectric layer is disposed on the silicon substrate. The first mirror layer is disposed on the first dielectric layer. The second dielectric layer is disposed on the first mirror layer. The second mirror layer is disposed on the second dielectric layer.

Abstract translation: 本发明提供一种包括硅衬底，第一介电层，第一镜层，第二介电层和第二镜层的LCOS器件。 第一电介质层设置在硅衬底上。 第一镜层设置在第一电介质层上。 第二介电层设置在第一镜层上。 第二镜层设置在第二介质层上。