公开(公告)号：US20100255612A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：US12512094

申请日：2009-07-30

申请人： Yoshiharu INOUE ,  Hiroaki ISHIMURA ,  Hitoshi KOBAYASHI ,  Masunori ISHIHARA ,  Toru ITO ,  Toshiaki NISHIDA

发明人： Yoshiharu INOUE ,  Hiroaki ISHIMURA ,  Hitoshi KOBAYASHI ,  Masunori ISHIHARA ,  Toru ITO ,  Toshiaki NISHIDA

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/3065

摘要： The invention provides a dry etching method capable of obtaining a good profile with little side etch without receiving the restriction of a micro loading effect. A dry etching method for etching a sample having formed on the surface thereof a pattern with an isolated portion and a dense portion using plasma comprises a first etching step using an etching gas containing a CF-based gas and a nitrogen gas in which an etching rate of a dense portion of the pattern is greater than the etching rate of the isolated portion of the mask pattern, and a second etching step in which the etching rate of the isolated portion of the pattern is greater than the etching rate of the dense portion of the pattern.

摘要翻译： 本发明提供了一种干蚀刻方法，其能够在没有受到微载荷效应的限制的情况下获得具有小侧蚀刻的良好轮廓。 使用等离子体蚀刻具有隔离部分和致密部分的图案的样品的干蚀刻方法包括使用包含CF基气体和氮气的蚀刻气体的第一蚀刻步骤，其中蚀刻速率 图案的致密部分的厚度大于掩模图案的隔离部分的蚀刻速率，以及第二蚀刻步骤，其中图案的隔离部分的蚀刻速率大于图案的密集部分的蚀刻速率 模式。