公开(公告)号：US20060022268A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US11190254

申请日：2005-07-26

申请人： Chang-woo Oh ,  Dong-gun Park ,  Dong-won Kim ,  Sung-dae Suk

发明人： Chang-woo Oh ,  Dong-gun Park ,  Dong-won Kim ,  Sung-dae Suk

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843

摘要： A semiconductor device may include a substrate and a fin shaped semiconductor region on the substrate. The fin shaped semiconductor region may include a channel region and first and second junction regions on opposite sides of the channel region. A gate electrode may be provided on the channel region of the fin shaped semiconductor region, and a stress inducing layer on the fin shaped semiconductor region.

摘要翻译： 半导体器件可以包括衬底和衬底上的鳍状半导体区域。 鳍状半导体区域可以包括沟道区域和在沟道区域的相对侧上的第一和第二结区域。 可以在鳍状半导体区域的沟道区域上设置栅电极，在鳍状半导体区域上设置应力感应层。