公开(公告)号：US5065219A

公开(公告)日：1991-11-12

申请号：US697621

申请日：1991-05-09

申请人： Tomohide Terashima

发明人： Tomohide Terashima

IPC分类号： H01L21/74 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76297 ,  H01L27/088 ,  H01L29/7809

摘要： An n.sup.+ -type diffusion region (19) is formed in a surface of an n.sup.- -type semiconductor island (11) corresponding to a protrusion (23) by selective diffusion so that the bottom thereof is in contact with an n.sup.+ -type semiconductor layer (12) surrounding the island (11). A drain electrode (22) is formed on the diffusion region (19) to extract an operating current of a VDMOS transistor flowing through the n.sup.+ -type semiconductor layer (12). By virtue of the protrusion (23), the diffusion region (19) can reach the n.sup.+ -type semiconductor layer (12) by not so deep diffusion. Thus, lateral diffusion can be suppressed so that an area required for the diffusion region (19) may be smaller.

摘要翻译： 通过选择性扩散在n型半导体岛（11）的与突起（23）对应的表面上形成n +型扩散区（19），使其底部与n +型半导体层 （12）围绕岛（11）。 在扩散区（19）上形成漏电极（22），以提取流过n +型半导体层（12）的VDMOS晶体管的工作电流。 通过突起（23），扩散区域（19）可以通过不那么深的扩散而到达n +型半导体层（12）。 因此，可以抑制横向扩散，使得扩散区域（19）所需的面积可以更小。