公开(公告)号：US08687438B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US13052343

申请日：2011-03-21

申请人： Nai-Ping Kuo ,  Kuen-Long Chang ,  Ken-Hui Chen ,  Ming-Chih Hsieh

发明人： Nai-Ping Kuo ,  Kuen-Long Chang ,  Ken-Hui Chen ,  Ming-Chih Hsieh

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C7/22

CPC分类号： G11C7/00 ,  G11C7/10 ,  G11C7/20

摘要： In the disclosed technology, the device identification code of a memory integrated circuit is changeable. In some cases, multiple device identification codes are stored on the memory integrated circuit, and multiple device identification code selection data are stored on the memory integrated circuit. A device identification code register can store a selected device identification code.

摘要翻译： 在所公开的技术中，存储器集成电路的器件识别码是可变的。 在一些情况下，多个设备识别码存储在存储器集成电路上，并且多个设备识别码选择数据被存储在存储器集成电路上。 设备识别码寄存器可以存储所选择的设备标识码。

公开(公告)号：US20120243348A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：US13052343

申请日：2011-03-21

申请人： Nai-Ping Kuo ,  Kuen-Long Chang ,  Ken-Hui Chen ,  Ming-Chih Hsieh

发明人： Nai-Ping Kuo ,  Kuen-Long Chang ,  Ken-Hui Chen ,  Ming-Chih Hsieh

IPC分类号： G11C7/00 ,  H01L21/8239

CPC分类号： G11C7/00 ,  G11C7/10 ,  G11C7/20

摘要： In the disclosed technology, the device identification code of a memory integrated circuit is changeable. In some cases, multiple device identification codes are stored on the memory integrated circuit, and multiple device identification code selection data are stored on the memory integrated circuit.

摘要翻译： 在所公开的技术中，存储器集成电路的器件识别码是可变的。 在一些情况下，多个设备识别码存储在存储器集成电路上，并且多个设备识别码选择数据被存储在存储器集成电路上。

公开(公告)号：US20100223439A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：US12395776

申请日：2009-03-02

申请人： Kuen-Long Chang ,  Nai-Ping Kuo ,  Ming-Chih Hsieh

发明人： Kuen-Long Chang ,  Nai-Ping Kuo ,  Ming-Chih Hsieh

IPC分类号： G06F12/14 ,  G06F12/00

CPC分类号： G06F21/79 ,  G06F3/062 ,  G06F3/0646 ,  G06F3/0668 ,  G06F3/0688 ,  G06F12/0238 ,  G06F12/0623 ,  G06F13/4234

摘要： A data protecting method for a memory, which comprising a volatile memory and a non-volatile memory for storing data and data protection information, comprises the following steps. Firstly, load the data protection information to the volatile memory from the non-volatile memory. Next, protect the data stored in the memory according to the data protection information stored in the volatile memory.

摘要翻译： 一种用于存储器的数据保护方法，包括易失性存储器和用于存储数据和数据保护信息的非易失性存储器，包括以下步骤。 首先，将数据保护信息从非易失性存储器加载到易失性存储器。 接下来，根据存储在易失性存储器中的数据保护信息保护存储在存储器中的数据。

公开(公告)号：US07400536B1

公开(公告)日：2008-07-15

申请号：US11693712

申请日：2007-03-30

申请人： Yufe Feng Lin ,  Yi-Chun Shih ,  Kuen-Long Chang

发明人： Yufe Feng Lin ,  Yi-Chun Shih ,  Kuen-Long Chang

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C5/147

摘要： A regulator for regulating a program voltage of a memory device is introduced. The regulator includes an operating amplifier, a program path emulation apparatus, and a current mirror coupled to the program path emulation apparatus and the operating amplifier. The current mirror is for controlling a current flowing in the program path emulation apparatus a multiple of a predetermined current. The program path emulation apparatus includes a bit line selection emulation unit for emulating a bit line selecting unit of the memory device, a path resistor for emulating a program path of a memory cell of the memory device, and a sector selection emulation unit for emulating a sector selecting unit of the memory device. The value of the predetermined current may be varied according to the program times of the memory cells of the memory device.

摘要翻译： 引入了用于调节存储器件的编程电压的调节器。 调节器包括运算放大器，程序路径仿真装置和耦合到程序路径仿真装置和运算放大器的电流镜。 电流镜用于控制在程序路径仿真装置中流过预定电流倍数的电流。 程序路径仿真装置包括用于仿真存储器件的位线选择单元的位线选择仿真单元，用于仿真存储器件的存储单元的程序路径的路径电阻器和用于模拟存储器件的扇区选择仿真单元 存储器件的扇区选择单元。 预定电流的值可以根据存储器件的存储器单元的编程时间而改变。

公开(公告)号：US20070069800A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：US11233901

申请日：2005-09-23

申请人： Yi-Chun Shih ,  Chun Hung ,  Kuen-Long Chang ,  Chuan-Ying Yu

发明人： Yi-Chun Shih ,  Chun Hung ,  Kuen-Long Chang ,  Chuan-Ying Yu

IPC分类号： G05F1/10

CPC分类号： H02M3/07 ,  H02M2003/071

摘要： A negative charge-pump circuit for flash memory includes a well, a pass-gate transistor, a well bias circuit and a negative voltage recovery circuit. The pass-gate transistor has a source, a drain and a gate. The well bias circuit controls the well to remain one of zero biased and reverse biased. The negative voltage recovery circuit is coupled to a negative recovery voltage and coupled to the pass-gate transistor to selectively provide the negative recovery voltage to the pass-gate transistor when the charge-pump circuit is disabled.

摘要翻译： 用于闪速存储器的负电荷泵电路包括阱，通栅晶体管，阱偏置电路和负电压恢复电路。 栅极晶体管具有源极，漏极和栅极。 阱偏置电路控制阱保持零偏置和反向偏置之一。 负电压恢复电路耦合到负恢复电压并且耦合到通栅晶体管，以在电荷泵电路被禁用时选择性地向通过栅极晶体管提供负恢复电压。