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    Method of Nonstoichiometric CVD Dielectric Film Surface Passivation for Film Roughness Control
    11.
    发明申请
    Method of Nonstoichiometric CVD Dielectric Film Surface Passivation for Film Roughness Control 有权
    非化学计量CVD方法电介质膜表面钝化膜粗糙度控制

    公开(公告)号：US20100120261A1

    公开(公告)日：2010-05-13

    申请号：US12577486

    申请日：2009-10-12

    申请人： Lance Kim ,  Kwanghoon Kim

    发明人： Lance Kim ,  Kwanghoon Kim

    IPC分类号： H01L21/31

    CPC分类号： H01L21/3003 ,  H01L21/3105

    摘要： A method is provided for reducing film surface roughness in Chemical Vapor Deposition (CVD) of dielectric films. The method may include removing dangling bonds from a film surface of a CVD dielectric film by a reactant. For reducing a surface roughness of a dielectric film, a further method may passivate a nonstoichiometric film surface of the dielectric film, or of a previous dielectric film, or of the dielectric film and of a previous dielectric film, by a reactant gas in the vapor environment. The dielectric film may include at least one out of the following group: ultraviolet light transparent Silicon Nitride (UVSIN), Silicon Rich Oxide (SRO), Silicon Dioxide (SiO2), Silicon Nitride (Si3N4), Phosphosilicate Glass (PSG), or Silicon Oxynitride (SiON) The reactant gas may include at least one out of the following group: Ammonia (NH3), Hydrogen (H2), Nitrous Oxide (N2O), or Oxygen (O2).

    摘要翻译： 提供了一种用于降低介电膜的化学气相沉积（CVD）中的膜表面粗糙度的方法。 该方法可以包括通过反应物从CVD电介质膜的膜表面去除悬挂键。 为了降低电介质膜的表面粗糙度，另外的方法可以通过蒸汽中的反应气体钝化电介质膜或以前的电介质膜，电介质膜和以前的电介质膜的非化学计量膜表面 环境。 电介质膜可以包括以下组中的至少一个：紫外光透明氮化硅（UVSIN），富氧化硅（SRO），二氧化硅（SiO 2），氮化硅（Si 3 N 4），磷硅玻璃（PSG）或硅 氮氧化物（SiON）反应物气体可以包括以下组中的至少一种：氨（NH 3），氢（H 2），一氧化二氮（N 2 O）或氧（O 2）。