公开(公告)号：US08098062B2

公开(公告)日：2012-01-17

申请号：US12196979

申请日：2008-08-22

申请人： Wayne Kilian

发明人： Wayne Kilian

IPC分类号： G01R33/06

CPC分类号： H03K19/18 ,  G01R15/207

摘要： A digital output sensor (110) includes a sensing structure (105) including at least one sensing element. The sensing structure (105) outputs a differential sensing signal (106, 107). An integrated circuit (100) includes a substrate (101) including signal conditioning circuitry for conditioning the sensing signal (106, 107). The signal conditioning circuitry includes a differential amplifier (115) coupled to receive the sensing signal and provide first and second differential outputs (116, 117), and a comparator (120) having input transistors (Q27, Q28) coupled to receive outputs from the differential amplifier. The comparator (120) also includes first and second current-mirror loads (Q19/Q21 and Q22/Q20) coupled to the input transistors (Q27, Q28) in a cross coupled configuration to provide hysteresis, wherein the first and second current-mirror loads provide differential drive currents (121,122). An output driver (125) is coupled to receive the differential drive currents (121, 122). An output stage (130) includes at least one output transistor which is coupled to the output driver for providing a digital output for the sensor. A voltage regulator (140) is coupled to receive a supply voltage (VS) and output at least one regulated supply voltage (VREG), wherein the regulated supply voltage is coupled to the sensing structure (105), the differential amplifier (115) and the comparator (120).

摘要翻译： 数字输出传感器（110）包括包括至少一个感测元件的感测结构（105）。 感测结构（105）输出差分感测信号（106,107）。 集成电路（100）包括：衬底（101），包括用于调节感测信号（106,107）的信号调节电路。 信号调节电路包括耦合以接收感测信号并提供第一和第二差分输出（116,117）的差分放大器（115），以及具有输入晶体管（Q27，Q28）的比较器（120），其耦合以接收来自 差分放大器。 比较器（120）还包括以交叉耦合配置耦合到输入晶体管（Q27，Q28）以提供迟滞的第一和第二电流镜负载（Q19 / Q21和Q22 / Q20），其中第一和第二电流镜 负载提供差动驱动电流（121,122）。 输出驱动器（125）被耦合以接收差分驱动电流（121,122）。 输出级（130）包括至少一个输出晶体管，其耦合到输出驱动器，以提供用于传感器的数字输出。 电压调节器（140）被耦合以接收电源电压（VS）并输出至少一个稳压电源电压（VREG），其中调节的电源电压耦合到感测结构（105），差分放大器（115）和 比较器（120）。

公开(公告)号：US07772661B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US12178144

申请日：2008-07-23

申请人： Wayne Kilian

发明人： Wayne Kilian

IPC分类号： H01L49/02 ,  H01L27/22 ,  H01L43/04 ,  H01L43/06

CPC分类号： H01L43/065 ,  G01R33/07 ,  H01L43/14

摘要： A Hall-effect magnetic sensor comprises a p-type Hall element and an n-type epitaxial Hall element. The p-type element can be implanted directly on top of the n-type element. The merged Hall elements can be biased in parallel to provide a nearly zero-bias depletion layer throughout for isolation. Electrical contacts to the n-type element can be diffused down through the p-type element and positioned to partially obstruct current flow in the p-type element. Electrical contacts can be diffused into the p-type element. Each bias contact of the p-type element can be connected to respective bias contacts of the n-type element in a parallel fashion. Then, an output signal can be taken at the sense contacts of the n-type element in order to provide improved magnetic responsivity. Further provided is a method for manufacturing the Hall-effect magnetic sensor.

摘要翻译： 霍尔效应磁传感器包括p型霍尔元件和n型外延霍尔元件。 p型元件可以直接注入n型元件的顶部。 合并的霍尔元件可以平行偏置，以提供几乎零偏压的耗尽层，用于隔离。 与n型元件的电接触可以通过p型元件向下扩散并且被定位成部分地阻碍p型元件中的电流。 电触点可以扩散到p型元件中。 p型元件的每个偏置接触可以以平行的方式连接到n型元件的相应的偏置触点。 然后，可以在n型元件的感测触点处获取输出信号，以提供改善的磁响应度。 还提供了一种用于制造霍尔效应磁传感器的方法。