公开(公告)号：US20070020851A1

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：US11525747

申请日：2006-09-22

申请人： Cheong Hong ,  Chi-Nan Li

发明人： Cheong Hong ,  Chi-Nan Li

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： G11C16/10 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11556 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： A programmable storage device includes a first diffusion region underlying a portion of a first trench defined in a semiconductor substrate and a second diffusion region occupying an upper portion of the substrate adjacent to the first trench. The device includes a charge storage stack lining sidewalls and a portion of a floor of the first trench. The charge storage stack includes a layer of discontinuous storage elements (DSEs). Electrically conductive spacers formed on opposing sidewalls of the first trench adjacent to respective charge storage stacks serve as control gates for the device. The DSEs may be silicon, polysilicon, metal, silicon nitride, or metal nitride nanocrystals or nanoclusters. The storage stack includes a top dielectric of CVD silicon oxide overlying the nanocrystals overlying a bottom dielectric of thermally formed silicon dioxide. The device includes first and second injection regions in the layer of DSEs proximal to the first and second diffusion regions.

摘要翻译： 可编程存储装置包括在半导体衬底中限定的第一沟槽的部分下面的第一扩散区域和占据与第一沟槽相邻的衬底的上部的第二扩散区域。 该装置包括一个电荷存储层，衬垫侧壁和第一沟槽的一部分地板。 电荷存储堆叠包括不连续存储元件（DSE）层。 形成在与相应电荷存储堆叠相邻的第一沟槽的相对侧壁上的导电间隔件用作该装置的控制栅极。 DSE可以是硅，多晶硅，金属，氮化硅或金属氮化物纳米晶体或纳米团簇。 存储堆叠包括覆盖在热形成的二氧化硅的底部电介质上的纳米晶体上的CVD硅氧烷的顶部电介质。 该装置包括位于第一和第二扩散区域附近的DSE层中的第一和第二注入区域。