公开(公告)号：US07226871B2

公开(公告)日：2007-06-05

申请号：US11252560

申请日：2005-10-19

申请人： Lin-En Chou ,  Hung-Che Ting

发明人： Lin-En Chou ,  Hung-Che Ting

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3145 ,  H01L27/1214

摘要： A method for forming a silicon oxynitride layer, suitable to be used in the production of semiconductor devices, e.g. poly-silicon thin film transistors, is provided. A plasma surface treatment is performed over a substrate after a silicon nitride/silicon oxide layer has been formed on the substrate by a glow discharge system to transform the silicon nitride/silicon oxide layer into a silicon oxynitride layer. The semiconductor device may be completely manufactured in simplex equipment. Therefore, the production time and production cost are favorably reduced.

摘要翻译： 一种适用于制造半导体器件的氮氧化硅层的形成方法， 提供多晶硅薄膜晶体管。 在通过辉光放电系统在衬底上形成氮化硅/氧化硅层之后，在衬底上进行等离子体表面处理，以将氮化硅/氧化硅层转化为氮氧化硅层。 半导体器件可以在单工设备中完全制造。 因此，生产时间和生产成本有利地降低。