公开(公告)号：US20130161750A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13721770

申请日：2012-12-20

Applicant: IMEC ,  Katholieke Universiteit Leuven, K.U. Leuven R&D

Inventor： Shih-Hung Chen ,  Alessio Griffoni ,  Steven Thijs ,  Dimitri Linten

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/749 ,  H01L29/7835

Abstract: The disclosure relates to an n-channel laterally diffused metal-oxide-semiconductor device comprising an n+ source (11) in a p-well region (12) and an n+ drain (21) in an n-well region (22), an n-channel (14) extending between the n+ source (11) and the n-well region (22), and a poly gate (3) having a first part (31) above the channel and spanning the entire channel and a second part (32) extending above a part (24) of the n-well region (22) for forming a gate-to-n-well-overlap. The poly gate (3) is a hybrid n+/p+ structure wherein the first part (31) is an n+ part and the second part (32) is a p+ part.

Abstract translation: 本公开涉及一种n沟道横向扩散的金属氧化物半导体器件，其包括p阱区域（12）中的n +源极（11）和n阱区域（22）中的n +漏极（21）， 在n +源极（11）和n-阱区域（22）之间延伸的n沟道（14）以及在沟道上方跨越整个沟道的第一部分（31）的多晶硅（3）和第二部分 （32），其延伸在所述n阱区域（22）的一部分（24）上方，用于形成栅极到n阱的重叠。 多栅极（3）是混合n + / p +结构，其中第一部分（31）是n +部分，第二部分（32）是p +部分。