公开(公告)号：US06574160B1

公开(公告)日：2003-06-03

申请号：US10074396

申请日：2002-02-11

申请人： Nadeem N. Eleyan ,  Howard L. Levy ,  Jeffrey Y. Su

发明人： Nadeem N. Eleyan ,  Howard L. Levy ,  Jeffrey Y. Su

IPC分类号： G11C702

CPC分类号： G11C7/04 ,  G11C7/065 ,  G11C2207/065

摘要： According to one embodiment, a memory is disclosed. The memory includes a differential sense amplifier that receives a data input and a complementary data input; and a switching mechanism, coupled to the amplifier, that switches the data input and the complementary data input to minimize a negative bias temperature instability (NBTI) effect on the amplifier.

摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种存储器。 存储器包括接收数据输入和补充数据输入的差分读出放大器; 以及耦合到放大器的切换机构，其切换数据输入和互补数据输入以最小化对放大器的负偏压温度不稳定性（NBTI）效应。

公开(公告)号：US07020035B1

公开(公告)日：2006-03-28

申请号：US10683633

申请日：2003-10-10

申请人： Nadeem N. Eleyan ,  Howard L. Levy ,  Jeffrey Y. Su

发明人： Nadeem N. Eleyan ,  Howard L. Levy ,  Jeffrey Y. Su

IPC分类号： G11C7/02

CPC分类号： G11C29/026 ,  G11C7/02 ,  G11C7/06 ,  G11C11/41 ,  G11C29/02 ,  G11C29/028 ,  G11C2207/2254

摘要： Post-manufacture compensation for a sensing offset can be provided, at least in part, by selectively exposing one of a pair of cross-coupled transistors in a sense amplifier to a bias voltage selected to cause a compensating shift in a characteristic of the exposed transistor. Such exposure may be advantageously provided in situ by causing the sense amplifier to sense values purposefully skewed toward a predominate value selected to cause the compensating shift. In some realizations, purposefully skewed values (e.g., value and value_1) are introduced directly into the sense amplifier. In some realizations, an on-chip test block is employed to identify and characterize sensing mismatch.

摘要翻译： 可以至少部分地通过将感测放大器中的一对交叉耦合晶体管中的一个选择性地暴露于所选择的偏置电压以提供暴露的晶体管的特性的补偿偏移来提供用于感测偏移的制造后补偿 。 这样的曝光可以有利地通过使感测放大器感测到有选择地偏向所选择的主要值以引起补偿偏移的原位来提供。 在一些实现中，有目的的偏斜值（例如，值和值1）被直接引入到读出放大器中。 在一些实现中，使用片上测试块来识别和表征感测不匹配。

公开(公告)号：US06762961B2

公开(公告)日：2004-07-13

申请号：US10123480

申请日：2002-04-16

申请人： Nadeem N. Eleyan ,  Howard L. Levy ,  Jeffrey Y. Su

发明人： Nadeem N. Eleyan ,  Howard L. Levy ,  Jeffrey Y. Su

IPC分类号： G11C700

CPC分类号： G11C7/04 ,  G11C7/065

摘要： Post-manufacture variation of timing may be employed to address data-dependent degradation or creep in device characteristics affecting a differential circuit. One particular example of such data-dependent degradation or creep involves Negative Bias Temperature Instability (NBTI). In certain memory circuit configurations, NBTI can cause threshold voltage (Vt) of PMOS devices to increase by an amount that depends on the historical amount of voltage bias that has been applied across gate and source/drain nodes. In the case of many sense amplifier designs, a predominant value read out using the sense amp may tend to disparately affect one device (or set of devices) as compared with an opposing device (or set of devices). In other words, if the same data value is read over and over again, then one of two opposing PMOS devices of a typical sense amp will accumulate an NBTI-related Vt shift, while the opposing PMOS device will accumulate little or no shift. The accumulated mismatch tends to cause an increase in the sense amp fail-point.

摘要翻译： 可以采用定时的制造后变化来解决影响差分电路的器件特性中与数据有关的退化或蠕变。 这种数据依赖性降解或蠕变的一个具体实例涉及负偏压温度不稳定性（NBTI）。 在某些存储器电路配置中，NBTI可以使PMOS器件的阈值电压（Vt）增加取决于施加在栅极和源极/漏极节点上的历史电压偏置量的量。 在许多读出放大器设计的情况下，与相对的设备（或一组设备）相比，使用感测放大器读出的主要值可能会不利地影响一个设备（或设备组）。 换句话说，如果一次又一次地读取相同的数据值，则典型读出放大器的两个相对的PMOS器件中的一个将累积NBTI相关的Vt移位，而相对的PMOS器件将积累很少或没有移位。 累积的不匹配趋于导致感测放大器故障点的增加。