公开(公告)号：US06528883B1

公开(公告)日：2003-03-04

申请号：US09670411

申请日：2000-09-26

申请人： Timothy G. Dunham ,  Ezra D. B. Hall ,  Howard S. Landis ,  Mark A. Lavin ,  William C. Leipold

发明人： Timothy G. Dunham ,  Ezra D. B. Hall ,  Howard S. Landis ,  Mark A. Lavin ,  William C. Leipold

IPC分类号： H01L2348

CPC分类号： H01L21/76838 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An interconnect structure for use in semiconductor devices which interconnects a plurality of dissimilar metal wiring layers, which are connected vias, by incorporating shaped voids in the metal layers. The invention also discloses a method by which such structures are constructed.

摘要翻译： 一种在半导体器件中使用的互连结构，其通过在金属层中引入形状的空隙来互连多个不同的金属布线层，这些不同的金属布线层是连接的通孔。 本发明还公开了一种构建这种结构的方法。