公开(公告)号：US09466426B2

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：US13777679

申请日：2013-02-26

Applicant: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： Kohei Shimada ,  Hiroyuki Wada ,  Keisuke Araki ,  Hiroyuki Yoshioka ,  Masato Ishibashi

IPC: H01G4/06 ,  C04B35/00 ,  H01G4/12 ,  H01G4/005 ,  H01G4/30 ,  B32B18/00 ,  C04B35/468 ,  C04B35/626

CPC classification number: H01G4/1209 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/588 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/30

Abstract: Provided is a laminated ceramic capacitor which can suppress degradation of the insulation resistance due to the addition of vanadium. Second insulating layers are stacked on both sides in the stacking direction of a first insulating layer group, which has first insulating layers stacked over one another, and internal electrodes are placed on principal surfaces of the first insulating layers. At least one internal electrode is placed between the first and second insulating layers. Both contain, as their main constituent, a perovskite-type compound represented by the formula “ABO3” wherein “A” denotes at least one of Ba, Sr, and Ca, “B” denotes at least one of Ti, Zr, and Hf. V is added to only the first insulating layers.

Abstract translation: 提供一种层压陶瓷电容器，其可以抑制由于添加钒而引起的绝缘电阻的劣化。 第二绝缘层在第一绝缘层组的堆叠方向的两侧堆叠，第一绝缘层组具有彼此堆叠的第一绝缘层，并且内部电极放置在第一绝缘层的主表面上。 至少一个内部电极被放置在第一和第二绝缘层之间。 两者都含有由“ABO3”表示的钙钛矿型化合物作为其主要成分，其中“A”表示Ba，Sr和Ca中的至少一种，“B”表示Ti，Zr和Hf中的至少一种 。 V仅添加到第一绝缘层。

公开(公告)号：US20130163144A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13777679

申请日：2013-02-26

Applicant: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： Kohei Shimada ,  Hiroyuki Wada ,  Keisuke Araki ,  Hiroyuki Yoshioka ,  Masato Ishibashi

IPC: H01G9/12

CPC classification number: H01G4/1209 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/588 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/30

Abstract: Provided is a laminated ceramic capacitor which can suppress degradation of the insulation resistance due to the addition of vanadium. Second insulating layers are stacked on both sides in the stacking direction of a first insulating layer group, which has first insulating layers stacked over one another, and internal electrodes are placed on principal surfaces of the first insulating layers. At least one internal electrode is placed between the first and second insulating layers. Both contain, as their main constituent, a perovskite-type compound represented by the formula “ABO3” wherein “A” denotes at least one of Ba, Sr, and Ca, “B” denotes at least one of Ti, Zr, and Hf. V is added to only the first insulating layers.

Abstract translation: 提供一种层压陶瓷电容器，其可以抑制由于添加钒而引起的绝缘电阻的劣化。 第二绝缘层在第一绝缘层组的堆叠方向的两侧堆叠，第一绝缘层组具有彼此堆叠的第一绝缘层，并且内部电极放置在第一绝缘层的主表面上。 至少一个内部电极被放置在第一和第二绝缘层之间。 两者都含有由“ABO3”表示的钙钛矿型化合物作为其主要成分，其中“A”表示Ba，Sr和Ca中的至少一种，“B”表示Ti，Zr和Hf中的至少一种 。 V仅添加到第一绝缘层。