公开(公告)号：US20090218645A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US12397255

申请日：2009-03-03

Applicant: Rajiv Yadav RANJAN ,  Parviz KESHTBOD

Inventor： Rajiv Yadav RANJAN ,  Parviz KESHTBOD

IPC: H01L29/82

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  G11C2211/5615 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/935

Abstract: A multi-state spin-torque transfer magnetic random access memory (STTMRAM) is formed on a film and includes a first magnetic tunneling junctions (MTJ) having a first fixed layer, a first sub-magnetic tunnel junction (sub-MTJ) layer and a first free layer. The first fixed layer and first free layer each have a first magnetic anisotropy. The STTMRAM further includes a non-magnetic spacing layer formed on top of the first MTJ layer and a second MTJ formed on top of the non-magnetic spacing layer. The second MTJ has a second fixed layer, a second sub-MTJ layer and a second free layer. The second fixed and second free layers each have a second magnetic anisotropy, wherein at least one of the first or second magnetic anisotropy is perpendicular to the plane of the film.

Abstract translation: 在薄膜上形成多态自旋转矩传递磁随机存取存储器（STTMRAM），其包括具有第一固定层，第一子磁性隧道结（sub-MTJ）层和第一子磁隧道结（sub-MTJ）层的第一磁隧道结（MTJ） 第一个自由层。 第一固定层和第一自由层各自具有第一磁各向异性。 STTMRAM还包括形成在第一MTJ层的顶部上的非磁性间隔层和形成在非磁性间隔层的顶部上的第二MTJ。 第二MTJ具有第二固定层，第二子MTJ层和第二自由层。 第二固定和第二自由层各自具有第二磁各向异性，其中第一或第二磁各向异性中的至少一个垂直于膜的平面。