公开(公告)号：US20130191047A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：US13354547

申请日：2012-01-20

申请人： Fen CHEN ,  Roger A. DUFRESNE ,  Timothy D. SULLIVAN ,  Yanfeng WANG

发明人： Fen CHEN ,  Roger A. DUFRESNE ,  Timothy D. SULLIVAN ,  Yanfeng WANG

IPC分类号： G01R31/26 ,  G06F19/00

CPC分类号： H01L22/34 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

摘要： An on-chip poly-to-contact process monitoring and reliability evaluation system and method of use are provided. A method includes determining a breakdown electrical field of each of one or more shallow trench isolation (STI) measurement structures corresponding to respective one or more original semiconductor structures. The method further includes determining a breakdown voltage of each of one or more substrate measurement structures corresponding to the respective one or more original semiconductor structures. The method further includes determining a space between a gate and a contact of each of the one or more original semiconductor structures based on the determined breakdown electrical field and the determined breakdown voltage.

摘要翻译： 提供片上多点接触式过程监测和可靠性评估系统及其使用方法。 一种方法包括确定与相应的一个或多个原始半导体结构相对应的一个或多个浅沟槽隔离（STI）测量结构中的每一个的击穿电场。 该方法还包括确定与相应的一个或多个原始半导体结构相对应的一个或多个衬底测量结构中的每一个的击穿电压。 该方法还包括基于所确定的击穿电场和所确定的击穿电压来确定一个或多个原始半导体结构中的每一个的栅极和触点之间的空间。