公开(公告)号：US07468296B1

公开(公告)日：2008-12-23

申请号：US11290787

申请日：2005-11-30

申请人： Ercan Adem ,  Matthew Buynoski ,  Robert Chiu ,  Bryan Choo ,  Calvin Gabriel ,  Joong Jeon ,  David Matsumoto ,  Jeffrey Shields ,  Bhanwar Singh ,  Winny Stockwell ,  Wen Yu

发明人： Ercan Adem ,  Matthew Buynoski ,  Robert Chiu ,  Bryan Choo ,  Calvin Gabriel ,  Joong Jeon ,  David Matsumoto ,  Jeffrey Shields ,  Bhanwar Singh ,  Winny Stockwell ,  Wen Yu

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/10

CPC分类号： H01L27/1021

摘要： In fabricating an electronic structure, a substrate is provided, and a first barrier layer is provided on the substrate. A germanium thin film diode is provided on the first barrier layer, and a second barrier layer is provided on the germanium thin film diode. A memory device is provided over and connected to the second barrier layer.

摘要翻译： 在制造电子结构时，提供基板，并且在基板上设置第一阻挡层。 锗薄膜二极管设置在第一阻挡层上，第二阻挡层设置在锗薄膜二极管上。 存储器件设置在第二阻挡层上并连接到第二阻挡层。