公开(公告)号：US20130087099A1

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：US13364910

申请日：2012-02-02

申请人： Kenric Choi

发明人： Kenric Choi

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52

CPC分类号： C23C16/4404 ,  C23C16/45544 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68757

摘要： Described are apparatuses and methods for the hydroxylation of a substrate surface using ammonia and water vapor.

摘要翻译： 描述了使用氨和水蒸汽使基材表面羟基化的装置和方法。

公开(公告)号：US20120201959A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13364806

申请日：2012-02-02

申请人： Kenric Choi ,  Tatsuya E. Sato ,  Ernesto Ulloa

发明人： Kenric Choi ,  Tatsuya E. Sato ,  Ernesto Ulloa

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  C23C16/02

CPC分类号： C23C16/0272 ,  C23C16/02 ,  C23C16/45544

摘要： Described are systems and methods for the hydroxylation of a substrate surface using ammonia and water vapor.

摘要翻译： 描述了使用氨和水蒸汽使基底表面羟基化的系统和方法。