公开(公告)号：US20070111031A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US10576183

申请日：2004-10-18

申请人： Peter Isberg ,  Per Eklund ,  Jens Emmerlich ,  Lars Hultman ,  Hans Hogberg ,  Henrik Ljungcrantz

发明人： Peter Isberg ,  Per Eklund ,  Jens Emmerlich ,  Lars Hultman ,  Hans Hogberg ,  Henrik Ljungcrantz

IPC分类号： B32B9/00

CPC分类号： H01R13/035 ,  H01H1/02 ,  H01R13/03 ,  H01R13/26 ,  Y10T428/31678

摘要： An element for making an electric contact to a contact member for enabling an electric current to flow between the element and the contact member. The element includes a body having at least a contact surface thereof coated with a contact layer applied against the contact member. The contact layer includes a film including a multielement material with equal or similar composition as any of a layered carbide or nitride that can be described as Mn+1AXn, where M is a transition metal or a combination of a transition metals, n is 1, 2, 3 or higher, A is an group A element or a combination of a group A element, element and X is Carbon, Nitrogen or both.

摘要翻译： 用于与接触构件电接触以使电流能够在元件和接触构件之间流动的元件。 该元件包括具有至少其接触表面的主体，该接触表面涂覆有施加在接触构件上的接触层。 接触层包括膜，其包括具有与可被描述为M n + 1 AX n n的层状碳化物或氮化物相同或相似组成的多元素材料，其中 M是过渡金属或过渡金属的组合，n为1,2,3或更高，A为A族元素或A族元素的组合，X为碳，氮或两者。

公开(公告)号：US20050076825A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：US10497234

申请日：2002-12-02

申请人： Peter Isberg ,  Jens-Petter Palmquist ,  Ulf Jansson ,  lars Hultman ,  Jens Birch ,  Timo Seppanen

发明人： Peter Isberg ,  Jens-Petter Palmquist ,  Ulf Jansson ,  lars Hultman ,  Jens Birch ,  Timo Seppanen

IPC分类号： C23C14/06 ,  C30B23/02 ,  C30B1/00

CPC分类号： C23C14/0635 ,  C30B23/02 ,  C30B29/52

摘要： A method of synthesizing or growing a compound having the general formula Mn+1AXn(16) where M is a transition metal, n is 1, 2, 3 or higher, A is an A-group element and X is carbon, nitrogen or both, which comprises the step of exposing a substrate to gaseous components and/or components vaporized from at least one solid source (13, 14, 15) whereby said components react with each other to produce the Mn+1AXn (16) compound.

摘要翻译： 合成或生长具有通式Mn + 1AXn（16）的化合物的方法，其中M为过渡金属，n为1,2,3或更高，A为A族元素，X为碳，氮或两者 ，其包括将基底暴露于从至少一个固体源（13,14,15）蒸发的气态组分和/或组分的步骤，由此所述组分彼此反应以产生Mn + 1AXn（16）化合物。