公开(公告)号：USD673927S1

公开(公告)日：2013-01-08

申请号：US29371744

申请日：2011-08-18

申请人： Yusuke Otani ,  Asami Yamagishi ,  Takeshi Miyazaki ,  Kiyoshi Oota ,  Yosuke Shimizu ,  Daisuke Ishii

设计人： Yusuke Otani ,  Asami Yamagishi ,  Takeshi Miyazaki ,  Kiyoshi Oota ,  Yosuke Shimizu ,  Daisuke Ishii

公开(公告)号：USD619131S1

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：US29260977

申请日：2006-06-06

申请人： Kiyoshi Oota

设计人： Kiyoshi Oota

公开(公告)号：USD552601S1

公开(公告)日：2007-10-09

申请号：US29267794

申请日：2006-10-23

申请人： Kiyoshi Oota

设计人： Kiyoshi Oota

公开(公告)号：US20070001269A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11475955

申请日：2006-06-28

申请人： Takashi Kano ,  Kiyoshi Oota

发明人： Takashi Kano ,  Kiyoshi Oota

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L29/7371 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/20 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66318 ,  H01L33/02 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/34333

摘要： A nitride semiconductor device includes a nitride semiconductor layer having a main surface, and an ohmic electrode formed on the main surface of the nitride semiconductor layer The ohmic electrode includes a silicon layer formed to contact with the main surface of the nitride semiconductor layer, and a first metal layer formed on the silicon layer.

摘要翻译： 氮化物半导体器件包括具有主表面的氮化物半导体层和形成在氮化物半导体层的主表面上的欧姆电极。欧姆电极包括形成为与氮化物半导体层的主表面接触的硅层，以及 第一金属层形成在硅层上。