公开(公告)号：US06797577B2

公开(公告)日：2004-09-28

申请号：US10243603

申请日：2002-09-13

申请人： Frank Scott Johnson ,  Jerold A. Seitchik ,  John Soji

发明人： Frank Scott Johnson ,  Jerold A. Seitchik ,  John Soji

IPC分类号： H01L21331

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L21/8249

摘要： A method is disclosed for the improvement of BiCMOS or CMOS manufactured device performance, specifically bipolar junction transistor performance, in a cost effective manner. The method provides for fewer masking operations during bipolar junction transistor formation, in a CMOS flow process, yet also provides for the bipolar junction transistor to be optimized.

摘要翻译： 公开了一种以成本有效的方式改进BiCMOS或CMOS制造的器件性能，特别是双极结型晶体管性能的方法。 该方法在CMOS流程过程中在双极结型晶体管形成期间提供较少的掩模操作，而且还提供优化双极结型晶体管。