公开(公告)号：US20050054136A1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：US10941562

申请日：2004-09-15

申请人： Richard Blanchard

发明人： Richard Blanchard

IPC分类号： B81B3/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： B81B3/0035

摘要： A single crystal semiconductor region is fabricated in a semiconductor wafer. The region is either cantilevered, supported at one or both ends, or midpoint, or supported at multiple locations. After a pattern and etch step, a dielectric fill step is performed to define the boundaries of the region in the semiconductor wafer. Oxygen or nitrogen is implanted in the semiconductor wafer on a surface area of the semiconductor wafer that corresponds to a top surface of the region. The annealing of the oxygen or nitrogen ions convert the silicon to an oxide or a nitride beneath the surface area. The silicon dioxide or silicon nitride is etched away to produce a semiconducting region of a single crystal material.

摘要翻译： 在半导体晶片中制造单晶半导体区域。 该区域是悬臂式的，在一端或两端支撑或中点支撑，或在多个位置支撑。 在图案和蚀刻步骤之后，执行介电填充步骤以限定半导体晶片中的区域的边界。 在对应于该区域的上表面的半导体晶片的表面区域上，在半导体晶片中注入氧或氮。 氧或氮离子的退火将硅转化成表面积下面的氧化物或氮化物。 蚀刻掉二氧化硅或氮化硅以产生单晶材料的半导体区域。