公开(公告)号：US07941782B2

公开(公告)日：2011-05-10

申请号：US11943771

申请日：2007-11-21

申请人： Yasunobu Kai ,  Kazuo Hatakeyama ,  Hidefumi Mukai ,  Hiromitsu Mashita ,  Koji Hashimoto

发明人： Yasunobu Kai ,  Kazuo Hatakeyama ,  Hidefumi Mukai ,  Hiromitsu Mashita ,  Koji Hashimoto

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： H01L27/0207 ,  G11C5/025 ,  H01L27/115 ,  Y10T428/24802

摘要： In a pattern layout which includes a first device pattern having a uniformly repeated pattern group having first lines and first spaces formed parallel to one anther and uniformly arranged with constant width at a constant pitch and a non-uniformly repeated pattern group having first lines and first spaces non-uniformly arranged, and a second device pattern arranged adjacent to the end portion of the non-uniformly repeated pattern group in an arrangement direction thereof and having second lines and second spaces whose widths are larger than the widths of the first lines and first spaces of the non-uniformly repeated pattern group, at least part of the widths of the first lines and the first spaces of the non-uniformly repeated pattern group is made larger than the width of the first line or the width of the first space of the uniformly repeated pattern group.

摘要翻译： 在图案布局中，包括具有均匀重复的图案组的第一装置图案，该第一装置图案具有第一线和平行于一个花柱形成的第一间隔，并且以恒定间距均匀地布置，并且具有第一线和第一线的不均匀重复的图案组 以及与其非排列方向上的非均匀重复图形组的端部相邻排列的第二装置图案，并且具有第二线和第二空间，第二线和第二空间的宽度大于第一线和第一线的宽度 不均匀重复图案组的空间，使不均匀重复图案组的第一线和第一空间的宽度的至少一部分大于第一线的宽度或第一空间的第一空间的宽度 均匀重复模式组。

公开(公告)号：US07831953B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US11802615

申请日：2007-05-24

申请人： Masaki Satake ,  Hiromitsu Mashita ,  Satoshi Tanaka

发明人： Masaki Satake ,  Hiromitsu Mashita ,  Satoshi Tanaka

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5009 ,  G03F1/36 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70666

摘要： A lithography simulation method which predicts the result that a pattern formed on a mask is transferred onto a sample by use of a simulation based on pattern data of the mask includes subjecting a mask layout containing a pattern whose periodicity is disturbed to the simulation. At this time, a calculation area of pattern data used for the simulation is set to an integral multiple of minimum periodic length of the mask layout.

摘要翻译： 通过使用基于掩模的图案数据的模拟将掩模上形成的图案转移到样本上的结果的光刻仿真方法包括对包含周期性被扰乱的图案的掩模布局进行模拟。 此时，将用于模拟的图案数据的计算区域设置为掩模布局的最小周期长度的整数倍。

公开(公告)号：US07682757B2

公开(公告)日：2010-03-23

申请号：US11401837

申请日：2006-04-12

申请人： Hiromitsu Mashita ,  Tadahito Fujisawa ,  Minoru Inomoto ,  Koji Hashimoto ,  Yasunobu Kai

发明人： Hiromitsu Mashita ,  Tadahito Fujisawa ,  Minoru Inomoto ,  Koji Hashimoto ,  Yasunobu Kai

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/36

摘要： A pattern layout for forming an integrated circuit includes a first device pattern, a second device pattern, and an auxiliary pattern. The first device pattern includes a line and a space alternately arrayed on a fixed pitch having regular intervals in a first direction. The second device pattern is disposed on the fixed pitch and separated from the first device pattern in the first direction. The second device pattern has a pattern width an odd-number times larger than the regular intervals of the fixed pitch, wherein the odd-number is set to be three or more. The auxiliary pattern is disposed on the fixed pitch and within the second device pattern and configured not to be resolved by light exposure.

摘要翻译： 用于形成集成电路的图案布局包括第一器件图案，第二器件图案和辅助图案。 第一装置图案包括在第一方向上具有规则间隔的固定间距交替排列的线和空间。 第二装置图案设置在固定节距上并且在第一方向上与第一装置图案分离。 第二装置图案的图案宽度比固定间距的规则间隔大奇数倍，其中奇数被设定为三个以上。 辅助图案设置在固定间距上并且在第二装置图案内并且被配置为不被曝光解决。

公开(公告)号：US20060228636A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：US11401837

申请日：2006-04-12

申请人： Hiromitsu Mashita ,  Tadahito Fujisawa ,  Minoru Inomoto ,  Koji Hashimoto ,  Yasunobu Kai

发明人： Hiromitsu Mashita ,  Tadahito Fujisawa ,  Minoru Inomoto ,  Koji Hashimoto ,  Yasunobu Kai

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/36

摘要： A pattern layout for forming an integrated circuit includes a first device pattern, a second device pattern, and an auxiliary pattern. The first device pattern includes a line and a space alternately arrayed on a fixed pitch having regular intervals in a first direction. The second device pattern is disposed on the fixed pitch and separated from the first device pattern in the first direction. The second device pattern has a pattern width an odd-number times larger than the regular intervals of the fixed pitch, wherein the odd-number is set to be three or more. The auxiliary pattern is disposed on the fixed pitch and within the second device pattern and configured not to be resolved by light exposure.

摘要翻译： 用于形成集成电路的图案布局包括第一器件图案，第二器件图案和辅助图案。 第一装置图案包括在第一方向上具有规则间隔的固定间距交替排列的线和空间。 第二装置图案设置在固定节距上并且在第一方向上与第一装置图案分离。 第二装置图案的图案宽度比固定间距的规则间隔大奇数倍，其中奇数被设定为三个以上。 辅助图案设置在固定间距上并且在第二装置图案内并且被配置为不被曝光解决。