公开(公告)号：US06191758B1

公开(公告)日：2001-02-20

申请号：US09106742

申请日：1998-06-30

申请人： Sang-jin Lee

发明人： Sang-jin Lee

IPC分类号： G09G500

CPC分类号： G06F3/1423 ,  G06F3/1431 ,  G06F3/1438

摘要： A computer having an auxiliary display device which enables a user to work more effectively by including an auxiliary display device as well as a main display device, is provided. The computer having an auxiliary display device includes an input device for inputting user's commands, a computer body for performing a predetermined program according to the commands input to the input device, a main display device for displaying signals output from the computer body on a screen, and an auxiliary display device for displaying the signals output from the computer body on a screen together with the main display device. The computer body also includes a main display controller for controlling the main display device and an auxiliary display controller for controlling the auxiliary display device, and after booting when a power supply of the computer body is turned on, the computer body executes a predetermined application program, and displays the execution result thereof on the auxiliary display device through the auxiliary display controller.

摘要翻译： 提供一种具有辅助显示装置的计算机，其能够通过包括辅助显示装置以及主显示装置而使用户更有效地工作。 具有辅助显示装置的计算机包括用于输入用户命令的输入装置，用于根据输入到输入装置的命令执行预定程序的计算机主体，用于在屏幕上显示从计算机主体输出的信号的主显示装置， 以及辅助显示装置，用于在与主显示装置一起的屏幕上显示从计算机主体输出的信号。 计算机机身还包括用于控制主显示装置的主显示控制器和用于控制辅助显示装置的辅助显示控制器，并且在打开计算机主体的电源时启动之后，计算机主体执行预定的应用程序 并通过辅助显示控制器在辅助显示装置上显示其执行结果。

公开(公告)号：US5908791A

公开(公告)日：1999-06-01

申请号：US643885

申请日：1996-05-07

申请人： Seok-hyun Han ,  Sang-jin Lee ,  Kyoung-bo Shim ,  Dae-sik Cho

发明人： Seok-hyun Han ,  Sang-jin Lee ,  Kyoung-bo Shim ,  Dae-sik Cho

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/32137

摘要： A method of forming a polycide gate of a semiconductor device, including the steps of etching all the metal silicide layer by using a plasma, and etching the polysilicon layer by relatively decreasing power for increasing the energy of a particles constituting the plasma, as compared with that in the step of etching the metal silicide layer. A physically and functionally stable polycide gate can be simply and rapidly formed.

摘要翻译： 一种形成半导体器件的多晶硅栅极的方法，包括以下步骤：通过使用等离子体蚀刻所有金属硅化物层，并且通过相对降低功率来增加构成等离子体的粒子的能量来蚀刻多晶硅层 在蚀刻金属硅化物层的步骤中。 物理上和功能上稳定的多晶硅栅极可以简单快速地形成。