公开(公告)号：US20090029522A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US11954470

申请日：2007-12-12

申请人： Whee Won Cho ,  Seung Hee Hong ,  Suk Joong Kim ,  Jong Hye Cho

发明人： Whee Won Cho ,  Seung Hee Hong ,  Suk Joong Kim ,  Jong Hye Cho

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76232 ,  H01L21/31116

摘要： A method of forming isolation layers of a semiconductor device including forming a first insulating layer on a semiconductor substrate including trenches formed in the semiconductor substrate, substituting a top surface of the first insulating layer with salt, removing the salt to expand a space between sidewalls of the first insulating layer, and forming a second insulating layer on the first insulating layer so that the trenches are gap-filled. Thus, trenches can be easily gap-filled with an insulating material.

摘要翻译： 一种形成半导体器件的隔离层的方法，包括在半导体衬底上形成第一绝缘层，该半导体衬底包括在半导体衬底中形成的沟槽，用盐代替第一绝缘层的顶表面，除去盐以扩大第二绝缘层的侧壁之间的空间 第一绝缘层，并且在第一绝缘层上形成第二绝缘层，使得沟槽间隙填充。 因此，沟槽可以容易地用绝缘材料间隙填充。

公开(公告)号：US20090004819A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US11963906

申请日：2007-12-24

申请人： Whee Won Cho ,  Eun Soo Kim ,  Suk Joong Kim

发明人： Whee Won Cho ,  Eun Soo Kim ,  Suk Joong Kim

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11521

摘要： In one aspect of the inventive method, a tunnel insulating film, a first conductive layer, and an isolation mask pattern are formed over a semiconductor substrate. The first conductive layer and the tunnel insulating film are patterned along the isolation mask pattern. A trench is formed in the semiconductor substrate. The trench is gap filled with a first insulating film. A polishing process is performed in order to expose the first conductive layer. A height of the first insulating film is lowered. The first conductive layer on the first insulating film is gap-filled with a second insulating film.

摘要翻译： 在本发明方法的一个方面中，在半导体衬底上形成隧道绝缘膜，第一导电层和隔离掩模图案。 第一导电层和隧道绝缘膜沿着隔离掩模图案被图案化。 在半导体衬底中形成沟槽。 沟槽填充有第一绝缘膜。 进行抛光处理以露出第一导电层。 第一绝缘膜的高度降低。 第一绝缘膜上的第一导电层用第二绝缘膜间隙填充。