公开(公告)号：US20050093058A1

公开(公告)日：2005-05-05

申请号：US10948966

申请日：2004-09-24

申请人： Young-Sam Park ,  Seung-Beom Yoon

发明人： Young-Sam Park ,  Seung-Beom Yoon

IPC分类号： H01L21/8247 ,  G11C16/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L27/11568 ,  G11C16/0475 ,  H01L27/115 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7926

摘要： Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) devices and methods of manufacturing the same are provided. According to one aspect, a SONOS device includes a semiconductor substrate having a first surface, a second surface of lower elevation than the first surface, and a third surface perpendicular and between the first and second surfaces; a tunnel dielectric layer on the semiconductor substrate; a charge trapping layer in a form of a spacer on the tunnel dielectric layer on the third surface; a charge isolation layer on the tunnel dielectric layer, which covers the charge trapping layer; a gate that extends over a portion of the first surface, over a portion of the second surface, and is adjacent to a portion of the third surface of the semiconductor substrate on the charge isolation layer; a first impurity region formed below the first surface and near the gate; and a second impurity region formed below the second surface, opposite the first impurity region.

摘要翻译： 提供了氧化硅 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化硅（SONOS）器件及其制造方法。 根据一个方面，SONOS器件包括具有第一表面，比第一表面低的第二表面和垂直于第一和第二表面之间的第三表面的半导体衬底; 半导体衬底上的隧道介电层; 在第三表面上的隧道电介质层上的间隔物形式的电荷捕获层; 隧道介电层上的电荷隔离层，其覆盖电荷俘获层; 在所述第二表面的一部分上延伸超过所述第一表面的一部分并且与所述电荷隔离层上的所述半导体衬底的所述第三表面的一部分相邻的栅极; 第一杂质区域，形成在第一表面下方且靠近栅极; 以及形成在第二表面下方与第一杂质区相反的第二杂质区。