公开(公告)号：US5273931A

公开(公告)日：1993-12-28

申请号：US894308

申请日：1992-06-04

申请人： Nikhil Taskar ,  Babar A. Khan ,  Donald R. Dorman

发明人： Nikhil Taskar ,  Babar A. Khan ,  Donald R. Dorman

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L21/365 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C30B25/02 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02573 ,  Y10S148/041 ,  Y10S148/064 ,  Y10S438/925

摘要： Epitaxial layers of N-doped II-VI semiconductor compounds are grown on GaAs substrates by MOCVD using FME. Separating the growth and doping by alternating introduction of (1) the semiconductor cation and anion and (2) the cation and the dopant increases the level of doping, the level of activation, and the crystal quality.

摘要翻译： 通过使用FME的MOCVD在GaAs衬底上生长N掺杂的II-VI半导体化合物的外延层。 通过交替引入（1）半导体阳离子和阴离子和（2）阳离子和掺杂剂来分离生长和掺杂，增加掺杂水平，活化水平和晶体质量。