公开(公告)号：US6145118A

公开(公告)日：2000-11-07

申请号：US38817

申请日：1998-03-12

申请人： Manabu Tomita

发明人： Manabu Tomita

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01J37/302 ,  G06F17/50 ,  G06F17/10 ,  G21K5/10

CPC分类号： H01J37/3026 ,  H01J2237/31762

摘要： The invention provides a plotting pattern data production method suitable for use for production of a mask for exposure or a semiconductor integrated circuit wherein a minimum plotting grid of a magnitude used in an existing apparatus can be used and a semiconductor integrated circuit pattern having a desired size can be formed accurately. The method comprises the steps of: (A) producing an n-fold design pattern by multiplying a design pattern to n times a minimum design pattern unit length (where n>1) and then converting the n-fold design pattern so that profiles thereof may come on those minimum plotting grids adjacent the profiles thereby to obtain a plotting pattern, and (B) (a) setting, for each portion of the plotting pattern which includes any of the profiles of the n-fold design pattern, a dose amount in accordance with a ratio in area of the n-fold design pattern which occupies the minimum plotting grid, but (b) setting a predetermined dose amount for each portion of the plotting pattern which does not include any profile of the n-fold design pattern.

摘要翻译： 本发明提供了适用于生产用于曝光的掩模或半导体集成电路的绘制图形数据生成方法，其中可以使用在现有装置中使用的最小尺寸栅格和具有期望尺寸的半导体集成电路图案 可以准确地形成。 该方法包括以下步骤：（A）通过将设计图案乘以最小设计图案单位长度（其中n> 1）的n倍，然后将n折设计图案转换成其轮廓，从而产生n折设计图案 可以在与轮廓相邻的那些最小绘图网格上进行绘图，并且（B）（a）对于包括n倍设计图案的任何曲线的绘制图案的每个部分，设定剂量 根据占据最小绘图格栅的n倍设计图案的面积比例，但是（b）为不包括n折设计图案的任何轮廓的绘制图案的每个部分设置预定的剂量量 。