公开(公告)号：US20100099236A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12437256

申请日：2009-05-07

申请人： Young Soo Kwon ,  Bi Jang ,  Anchuan Wang ,  Young S. Lee ,  Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Jin Ho Jeon

发明人： Young Soo Kwon ,  Bi Jang ,  Anchuan Wang ,  Young S. Lee ,  Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Jin Ho Jeon

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/318

摘要： A method of filling a trench is described and includes depositing a dielectric liner with a high ratio of silicon oxide to dielectric liner etch rate in fluorine-containing etch chemistries. Silicon oxide is deposited within the trench and etched to reopen or widen a gap near the top of the trench. The dielectric liner protects the underlying substrate during the etch process so the gap can be made wider. Silicon oxide is deposited within the trench again to substantially fill the trench.

摘要翻译： 描述了填充沟槽的方法，并且包括在含氟蚀刻化学中沉积具有高比率的氧化硅与介电衬里蚀刻速率的介电衬垫。 氧化硅沉积在沟槽内并蚀刻以重新打开或加宽沟槽顶部附近的间隙。 电介质衬垫在蚀刻工艺期间保护下面的衬底，从而可以使间隙更宽。 氧化硅再次沉积在沟槽内以基本上填充沟槽。

公开(公告)号：US20080093605A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11699713

申请日：2007-01-29

申请人： Kevin Kornegay ,  Andrew Atwell ,  Mihaela Balseanu ,  Jon Duster ,  Eskinder Hailu ,  Ce Li

发明人： Kevin Kornegay ,  Andrew Atwell ,  Mihaela Balseanu ,  Jon Duster ,  Eskinder Hailu ,  Ce Li

IPC分类号： H01L31/0312 ,  H01L29/15

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81C2203/0735

摘要： A device and method of forming electronics and microelectromechanical on a silicon carbide substrate having a slow etch rate is performed by forming circuitry on the substrate. A protective layer is formed over the circuitry having a slower etch rate than the etch rate of the silicon carbide substrate. Microelectromechanical structures supported by the substrate are then formed. The circuitry comprises a field effect transistor in one embodiment, and the protective layer comprises a heavy metal layer.

摘要翻译： 通过在衬底上形成电路来执行在具有缓蚀刻速率的碳化硅衬底上形成电子学和微机电的器件和方法。 在具有比碳化硅衬底的蚀刻速率更慢的蚀刻速率的电路上形成保护层。 然后形成由基板支撑的微机电结构。 在一个实施例中，电路包括场效应晶体管，保护层包括重金属层。

公开(公告)号：US07615788B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US11699713

申请日：2007-01-29

申请人： Kevin Kornegay ,  Andrew R. Atwell ,  Mihaela Balseanu ,  Jon Duster ,  Eskinder Hailu ,  Ce Li

发明人： Kevin Kornegay ,  Andrew R. Atwell ,  Mihaela Balseanu ,  Jon Duster ,  Eskinder Hailu ,  Ce Li

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81C2203/0735

摘要： A device and method of forming electronics and microelectromechanical on a silicon carbide substrate having a slow etch rate is performed by forming circuitry on the substrate. A protective layer is formed over the circuitry having a slower etch rate than the etch rate of the silicon carbide substrate. Microelectromechanical structures supported by the substrate are then formed. The circuitry comprises a field effect transistor in one embodiment, and the protective layer comprises a heavy metal layer.

摘要翻译： 通过在衬底上形成电路来执行在具有缓蚀刻速率的碳化硅衬底上形成电子学和微机电的器件和方法。 在具有比碳化硅衬底的蚀刻速率更慢的蚀刻速率的电路上形成保护层。 然后形成由基板支撑的微机电结构。 在一个实施例中，电路包括场效应晶体管，保护层包括重金属层。

公开(公告)号：US07170141B2

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：US10384492

申请日：2003-03-07

申请人： Kevin Kornegay ,  Andrew R. Atwell ,  Mihaela Balseanu ,  Jon Duster ,  Eskinder Hailu ,  Ce Li

发明人： Kevin Kornegay ,  Andrew R. Atwell ,  Mihaela Balseanu ,  Jon Duster ,  Eskinder Hailu ,  Ce Li

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81C2203/0735

摘要： A method of forming electronics and microelectromechanical on a silicon carbide substrate having a slow etch rate is performed by forming circuitry on the substrate. A protective layer is formed over the circuitry having a slower etch rate than the etch rate of the silicon carbide substrate. Microelectromechanical structures supported by the substrate are then formed. The circuitry comprises a field effect transistor in one embodiment, and the protective layer comprises a heavy metal layer.

摘要翻译： 通过在衬底上形成电路来执行在具有缓慢蚀刻速率的碳化硅衬底上形成电子学和微机电的方法。 在具有比碳化硅衬底的蚀刻速率更慢的蚀刻速率的电路上形成保护层。 然后形成由基板支撑的微机电结构。 在一个实施例中，电路包括场效应晶体管，保护层包括重金属层。