公开(公告)号：US5256596A

公开(公告)日：1993-10-26

申请号：US857877

申请日：1992-03-26

申请人： Donald E. Ackley ,  Chan-Long Shieh

发明人： Donald E. Ackley ,  Chan-Long Shieh

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/183 ,  H01S5/20 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01S5/18308 ,  H01S5/2063

摘要： VCSELs including a central active layer with upper and lower mirror stacks wherein a circular trench is formed in one mirror stack to define a lasing area. The trench reduces reflectivity to prevent lasing outside the operating area and a deep beryllium implant in either of the mirror stacks, along with the trench, confines current distribution to maximize power output and efficiency. A transparent metal contact is used as a top contact in one embodiment.

摘要翻译： VCSEL包括具有上反射镜和下反射镜叠层的中心活性层，其中在一个反射镜叠层中形成圆形沟槽以限定激光区域。 沟槽减少了反射率，以防止在工作区域外发生激光，并且任何一个反射镜堆叠中的深铍植入物与沟槽一起限制电流分布以最大化功率输出和效率。 在一个实施例中，透明金属接触件用作顶部接触件。

公开(公告)号：US4665525A

公开(公告)日：1987-05-12

申请号：US863919

申请日：1986-05-16

申请人： Donald E. Ackley ,  Reinhart W. H. Engelmann ,  Teruko K. Inouye

发明人： Donald E. Ackley ,  Reinhart W. H. Engelmann ,  Teruko K. Inouye

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/306 ,  H01L29/04 ,  H01S3/19 ,  H01L21/00 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/28575 ,  H01L21/30617 ,  H01L29/045

摘要： A method of forming the proper metallization contacts in a multilayer epitaxy laser device is provided. By selecting the proper crystal plane orientation in etching nonplanar features like channels for the device, a differential etch rate in a free-etch can be effected to remove only selected portions of the top layer and to provide self-alignment in the metallization process.

摘要翻译： 提供了在多层外延激光器件中形成适当的金属化接触的方法。 通过在蚀刻非平面特征（如器件的通道）中选择适当的晶面取向，可以实现自由蚀刻中的差分蚀刻速率，以仅去除顶层的选定部分，并在金属化工艺中提供自对准。