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    Mask for making a semiconductor device and fabrication method thereof
    82.
    发明授权
    Mask for making a semiconductor device and fabrication method thereof 失效
    制造半导体器件的掩模及其制造方法

    公开(公告)号：US5902706A

    公开(公告)日：1999-05-11

    申请号：US916328

    申请日：1997-08-22

    申请人： Hoon Huh

    发明人： Hoon Huh

    IPC分类号： G03F1/22 ,  H01L21/027 ,  G03F9/00

    CPC分类号： G03F1/22

    摘要： A mask for a semiconductor device includes a frame having an opening therein, a membrane film formed on the frame, and a patterned light shield formed on the membrane via an interlayer. To form the mask, an interlayer is formed on a first silicon layer, and a second silicon layer is formed on the interlayer. The second silicon layer is selectively etched to thereby form a plurality of openings therethrough, and a light shield is formed in a corresponding one of the openings. The remaining second silicon layer is removed, and a predetermined region of the first silicon layer is etched to expose the interlayer therethrough. A membrane film is formed on an entire lower surface of the resultant structure, and a predetermined region of the interlayer is etched to expose a predetermined region of the membrane film.

    摘要翻译： 用于半导体器件的掩模包括其中具有开口的框架，形成在框架上的膜膜以及经由中间层形成在膜上的图案化遮光罩。 为了形成掩模，在第一硅层上形成中间层，并且在中间层上形成第二硅层。 选择性地蚀刻第二硅层从而形成多个穿过其的开口，并且在对应的一个开口中形成遮光板。 去除剩余的第二硅层，并且蚀刻第一硅层的预定区域以暴露中间层。 在所得结构的整个下表面上形成膜膜，并且蚀刻中间层的预定区域以暴露膜膜的预定区域。

    Lateral diffusion confirming pattern and a method of measuring a lateral diffusion
    83.
    发明授权
    Lateral diffusion confirming pattern and a method of measuring a lateral diffusion 失效
    横向扩散确认模式和横向扩散测量方法

    公开(公告)号：US5853925A

    公开(公告)日：1998-12-29

    申请号：US803243

    申请日：1997-02-20

    申请人： Hoon Huh

    发明人： Hoon Huh

    IPC分类号： H01L21/66 ,  G01N21/88 ,  G01N21/956 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  G03F7/00

    CPC分类号： G03F7/70616 ,  G03F7/265

    摘要： A diffusion confirming pattern for measuring a diffusion distance of an etch-resistant component during a transfer process of a semiconductor device, includes a first photoresist pattern formed on a substrate according to a first mask pattern, and a second photoresist pattern formed on the substrate according to a second mask pattern, wherein the first mask pattern is separated from the second mask pattern by a predetermined interval, the second photoresist pattern is separated from the first photoresist pattern by an interval, and the predetermined interval is compared with the interval between the first and second photoresist patterns to determine the diffusion distance of the etch-resistant component.

    摘要翻译： 在半导体器件的转印工艺期间用于测量耐蚀刻成分的扩散距离的扩散确认图案包括根据第一掩模图案形成在基板上的第一光致抗蚀剂图案和形成在基板上的第二光致抗蚀剂图案， 到第二掩模图案，其中第一掩模图案与第二掩模图案分开预定间隔，第二光致抗蚀剂图案与第一光致抗蚀剂图案间隔一段距离，并将预定间隔与第一掩模图案之间的间隔进行比较 和第二光致抗蚀剂图案以确定耐腐蚀组分的扩散距离。