公开(公告)号：US09536965B2

公开(公告)日：2017-01-03

申请号：US14922017

申请日：2015-10-23

申请人： Dynax Semiconductor, Inc.

发明人： Yi Pei ,  Mengjie Zhou ,  Naiqian Zhang

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/16 ,  H01L29/45 ,  H01L29/40 ,  H01L29/08 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L23/373

CPC分类号： H01L29/41758 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3736 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/401 ,  H01L29/413 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device comprises: a substrate; a multilayer semiconductor layer located on the substrate; a source located on the multilayer semiconductor layer, the source including a first source portion inside an active region and a second source portion inside a passive region; a drain located on the multilayer semiconductor layer, the drain including a first drain portion inside the active region and a second drain region inside the passive region; a gate located on the multilayer semiconductor layer, the gate including a first gate portion inside the active region and a second gate portion inside the passive region, and the first gate portion being in a form of interdigital among the first source portion and the first drain portion; and a heat dissipating layer disposed at one or more of the first source portion, the first drain portion, the first gate portion, the second source portion, the second drain portion and the second gate portion.

摘要翻译： 半导体器件包括：衬底; 位于所述基板上的多层半导体层; 位于所述多层半导体层上的源，所述源包括有源区内的第一源极部分和被动区域内的第二源极部分; 漏极，位于所述多层半导体层上，所述漏极包括所述有源区内部的第一漏极部分和所述无源区域内的第二漏极区域; 位于所述多层半导体层上的栅极，所述栅极包括所述有源区内部的第一栅极部分和所述无源区域内的第二栅极部分，所述第一栅极部分是所述第一源极部分和所述第一漏极之间的叉指形式 一部分; 以及布置在第一源极部分，第一漏极部分，第一栅极部分，第二源极部分，第二漏极部分和第二栅极部分中的一个或多个处的散热层。