公开(公告)号：US20140004692A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13539727

申请日：2012-07-02

申请人： Andy C. Wei ,  Akshey Sehgal ,  Bamidele S. Allimi

发明人： Andy C. Wei ,  Akshey Sehgal ,  Bamidele S. Allimi

IPC分类号： H01L21/283

CPC分类号： H01L21/823821 ,  H01L29/66545

摘要： A method for fabricating a multiple-workfunction FinFET structure includes depositing a first workfunction material in a layer in a plurality of trenches of the FinFET structure and etching the first workfunction material layer so as to completely remove the first workfunction material layer from all but a first trench of the plurality of trenches. Further, the method includes depositing a second workfunction material in a layer in the plurality of trenches and etching the second workfunction material layer so as to completely remove the second workfunction material layer from all but a second trench of the plurality of trenches. Still further, the method includes depositing a third workfunction material in a layer in the plurality of trenches.

摘要翻译： 一种用于制造多功能FinFET结构的方法，包括：在FinFET结构的多个沟槽中的层中沉积第一功函数材料，并蚀刻第一功函数材料层，以从第一功函数材料层中除去第一功函数材料层 多个沟槽的沟槽。 此外，所述方法包括在所述多个沟槽中的层中沉积第二功函数材料并蚀刻所述第二功函数材料层，以便从所述多个沟槽中的所有除第二沟槽以外的全部除去所述第二功函数材料层。 此外，该方法包括在多个沟槽中的层中沉积第三功函数材料。

公开(公告)号：US08835233B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13539727

申请日：2012-07-02

申请人： Andy C. Wei ,  Akshey Sehgal ,  Bamidele S. Allimi

发明人： Andy C. Wei ,  Akshey Sehgal ,  Bamidele S. Allimi

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L21/823821 ,  H01L29/66545

摘要： A method for fabricating a multiple-workfunction FinFET structure includes depositing a first workfunction material in a layer in a plurality of trenches of the FinFET structure and etching the first workfunction material layer so as to completely remove the first workfunction material layer from all but a first trench of the plurality of trenches. Further, the method includes depositing a second workfunction material in a layer in the plurality of trenches and etching the second workfunction material layer so as to completely remove the second workfunction material layer from all but a second trench of the plurality of trenches. Still further, the method includes depositing a third workfunction material in a layer in the plurality of trenches.

摘要翻译： 一种用于制造多功能FinFET结构的方法，包括：在FinFET结构的多个沟槽中的层中沉积第一功函数材料，并蚀刻第一功函数材料层，以从第一功函数材料层中除去第一功函数材料层 多个沟槽的沟槽。 此外，所述方法包括在所述多个沟槽中的层中沉积第二功函数材料并蚀刻所述第二功函数材料层，以便从所述多个沟槽中的所有除第二沟槽以外的全部除去所述第二功函数材料层。 此外，该方法包括在多个沟槽中的层中沉积第三功函数材料。