公开(公告)号：US20100314610A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12757252

申请日：2010-04-09

申请人： Samson Mil'shtein ,  Amey V. Churi ,  Brian J. Rizzi ,  Peter N. Ersland

发明人： Samson Mil'shtein ,  Amey V. Churi ,  Brian J. Rizzi ,  Peter N. Ersland

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7785 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A HEMT with improved electron confinement is formed by removing semiconductor cap material between the channel and the source and drain regions. The source and drain regions can be isolated from the gate region by an insulating layer. Significant noise reduction can be achieved as a result of these techniques. Also, removing the semiconductor cap material can provide an increased breakdown voltage for the transistor.

摘要翻译： 通过在沟道和源极和漏极区之间去除半导体盖材料形成具有改善的电子约束的HEMT。 源极和漏极区可以通过绝缘层与栅极区隔离。 作为这些技术的结果，可以实现显着的降噪。 此外，去除半导体盖材料可以提供晶体管的增加的击穿电压。