公开(公告)号：US20130252432A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13992932

申请日：2011-12-16

申请人： Masaru Nakamura ,  Takashi Kawaguchi ,  Yoshinori Ikagawa ,  Chisato Nagahata

发明人： Masaru Nakamura ,  Takashi Kawaguchi ,  Yoshinori Ikagawa ,  Chisato Nagahata

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/306 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/0017 ,  Y02E10/50

摘要： Provided is a patterning method that can greatly reduce process costs and environmental load. The patterning method includes: a film forming step of forming a functional film (2) on a substrate (1) ; and an etching step of irradiating the substrate with vacuum ultraviolet light (12) from above a mask (4) that is placed on the functional film (2) and has an arbitrarily-defined opening (4A) so as to dry etch the functional film (2) positioned below the opening (4A). The dry etching step can be carried out in an atmosphere containing oxygen. For example, dry air can be used as process gas. In addition, N2 may be supplied as an inert gas to the substrate (1) placed in the atmosphere.

摘要翻译： 提供了可以大大降低工艺成本和环境负荷的图案化方法。 图案形成方法包括：在基板（1）上形成功能膜（2）的成膜工序; 以及蚀刻步骤，从放置在功能膜（2）上的掩模（4）的上方以真空紫外线（12）照射基板，并具有任意限定的开口（4A），从而干燥蚀刻功能膜 （2）定位在开口（4A）的下方。 干蚀刻步骤可以在含氧的气氛中进行。 例如，干燥空气可以用作工艺气体。 此外，可以将N 2作为惰性气体供给到放置在大气中的基板（1）。