公开(公告)号：US5185289A

公开(公告)日：1993-02-09

申请号：US720965

申请日：1991-06-25

申请人： Heinz P. Meier ,  Edward A. Van Gieson ,  Willi Walter

发明人： Heinz P. Meier ,  Edward A. Van Gieson ,  Willi Walter

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/223 ,  H01S5/227 ,  H01S5/32

CPC分类号： H01L33/0062 ,  H01S5/227 ,  H01S5/32 ,  H01S5/2235 ,  H01S5/2237 ,  H01S5/3203 ,  Y10S148/095

摘要： The process is particularly useful in the fabrication of GaAs quantum well (QW) laser diodes. Starting point is a ridge-patterned (100)-substrate (21), the crystal orientation of the sidewalls, e.g., (411A)-oriented, being different from that of the horizontal top. The sidewall facets thus have a lower Ga incorporation rate.In a molecular beam epitaxy (MBE) system, the lower AlGaAs cladding layer (22) is first grown, followed by the high-temperature growth of the active GaAs QW (23). Due to diffusion and desorption processes, the GaAs thickness at the sidewalls is smaller than on the horizontal top of the ridge. During a short growth interrupt, the GaAs completely desorbs from the sidewall facets. With the subsequent growth of the upper cladding layer (24), the QW becomes laterally embedded in higher bandgap material providing for lateral electric confinement.

摘要翻译： 该工艺在GaAs量子阱（QW）激光二极管的制造中特别有用。 起始点是脊形图案（100） - 衬底（21），侧壁的晶体取向（例如（411A））取向不同于水平顶部。 因此，侧壁面具有较低的Ga掺入率。 在分子束外延（MBE）系统中，首先生长下部AlGaAs覆层（22），随后激活有源GaAs QW（23）的高温生长。 由于扩散和解吸过程，侧壁处的GaAs厚度小于脊的水平顶部。 在短暂的增长中断期间，GaAs完全从侧壁面解吸。 随着上包层（24）的随后生长，QW横向地嵌入在提供横向电限制的较高带隙材料中。