公开(公告)号：US07447060B2

公开(公告)日：2008-11-04

申请号：US11678346

申请日：2007-02-23

申请人： Eric John Salter ,  Mark F. Deherrera ,  Thomas H. Lee

发明人： Eric John Salter ,  Mark F. Deherrera ,  Thomas H. Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/14 ,  G11C11/15 ,  G11C29/00

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848

摘要： According to an example embodiment, a method (500) includes applying a magnetic field to an array of Magnetic Tunnel Junction (MTJ) bits, a magnitude of the magnetic field sufficient to eliminate a stuck-at-mid condition exhibited by one of the MTJ bits without causing other ones of the MTJ bits to develop the stuck-at-mid condition.

摘要翻译： 根据示例性实施例，一种方法（500）包括将磁场施加到磁隧道结（MTJ）位的阵列，所述磁场的大小足以消除由MTJ中的一个所展现的中间状态 位，而不会导致MTJ位中的其他位发展到中间状态。