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发明授权
Non-volatile flash layout 失效
标题翻译：非易失性闪存布局

公开(公告)号：US6008516A

公开(公告)日：1999-12-28

申请号：US120837

申请日：1998-07-22

申请人： Friedoon Mehrad , Cetin Kaya

发明人： Friedoon Mehrad , Cetin Kaya

IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/788

CPC分类号： H01L27/11519 , H01L27/115

摘要： A FLASH EPROM layout with straight gate and isolation structures to improve scalability and eliminate the need for self-aligned source process.

摘要翻译： 具有直门和隔离结构的FLASH EPROM布局，以提高可扩展性，并消除对自对准源工艺的需要。