公开(公告)号：US08546164B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US13293158

申请日：2011-11-10

申请人： Hong-Han Jeong ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Yeon-Gon Mo ,  Hui-Won Yang

发明人： Hong-Han Jeong ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Yeon-Gon Mo ,  Hui-Won Yang

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225

摘要： A thin film transistor (TFT), including a substrate, a gate electrode on the substrate, an oxide semiconductor layer including a channel region, a source region, and a drain region, a gate insulating layer between the gate electrode and the oxide semiconductor layer, and source and drain electrodes in contact with the source and drain regions of the oxide semiconductor layer, respectively, wherein the oxide semiconductor layer has a GaInZnO (GIZO) bilayer structure including a lower layer and an upper layer, and the upper layer has a different indium (In) concentration than the lower layer.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管（TFT），包括基板，基板上的栅电极，包括沟道区，源极区和漏极区的氧化物半导体层，栅电极和氧化物半导体层之间的栅极绝缘层 以及与氧化物半导体层的源极和漏极区域接触的源极和漏极，其中氧化物半导体层具有包括下层和上层的GaInZnO（GIZO）双层结构，并且上层具有 不同的铟（In）浓度比下层。

公开(公告)号：US20120052609A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13293158

申请日：2011-11-10

申请人： Hong-Han JEONG ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Yeon-Gon Mo ,  Hui-Won Yang

发明人： Hong-Han JEONG ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Yeon-Gon Mo ,  Hui-Won Yang

IPC分类号： H01L33/08

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225

摘要： A thin film transistor (TFT), including a substrate, a gate electrode on the substrate, an oxide semiconductor layer including a channel region, a source region, and a drain region, a gate insulating layer between the gate electrode and the oxide semiconductor layer, and source and drain electrodes in contact with the source and drain regions of the oxide semiconductor layer, respectively, wherein the oxide semiconductor layer has a GaInZnO (GIZO) bilayer structure including a lower layer and an upper layer, and the upper layer has a different indium (In) concentration than the lower layer.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管（TFT），包括基板，基板上的栅电极，包括沟道区，源极区和漏极区的氧化物半导体层，栅电极和氧化物半导体层之间的栅极绝缘层 以及与氧化物半导体层的源极和漏极区域接触的源极和漏极，其中氧化物半导体层具有包括下层和上层的GaInZnO（GIZO）双层结构，并且上层具有 不同的铟（In）浓度比下层。

公开(公告)号：US20090250693A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：US12385197

申请日：2009-04-01

申请人： Hong-Han Jeong ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Yeon-Gon Mo ,  Hui-Won Yang

发明人： Hong-Han Jeong ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Yeon-Gon Mo ,  Hui-Won Yang

IPC分类号： H01L29/26 ,  H01L29/786 ,  H01L51/52 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225

摘要： A thin film transistor (TFT), including a substrate, a gate electrode on the substrate, an oxide semiconductor layer including a channel region, a source region, and a drain region, a gate insulating layer between the gate electrode and the oxide semiconductor layer, and source and drain electrodes in contact with the source and drain regions of the oxide semiconductor layer, respectively, wherein the oxide semiconductor layer has a GaInZnO (GIZO) bilayer structure including a lower layer and an upper layer, and the upper layer has a different indium (In) concentration than the lower layer.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管（TFT），包括基板，基板上的栅电极，包括沟道区，源极区和漏极区的氧化物半导体层，栅电极和氧化物半导体层之间的栅极绝缘层 以及与氧化物半导体层的源极和漏极区域接触的源极和漏极，其中氧化物半导体层具有包括下层和上层的GaInZnO（GIZO）双层结构，并且上层具有 不同的铟（In）浓度比下层。