公开(公告)号：USD683456S1

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US29417509

申请日：2012-04-04

申请人： Jae-Hwa Moon ,  Jung-Hoon Kim ,  Jun-Pil Moon

设计人： Jae-Hwa Moon ,  Jung-Hoon Kim ,  Jun-Pil Moon

公开(公告)号：USD671216S1

公开(公告)日：2012-11-20

申请号：US29401284

申请日：2011-09-09

申请人： Jae-Hwa Moon ,  Jung-Hoon Kim ,  Jun-Pil Moon

设计人： Jae-Hwa Moon ,  Jung-Hoon Kim ,  Jun-Pil Moon

公开(公告)号：USD650482S1

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US29372408

申请日：2010-11-16

申请人： Yun-Su Kim ,  Ki-Soo Kim ,  Jae-Hwa Moon ,  Sang-Min Hyun

设计人： Yun-Su Kim ,  Ki-Soo Kim ,  Jae-Hwa Moon ,  Sang-Min Hyun

公开(公告)号：USD617797S1

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US29316003

申请日：2009-08-14

申请人： Ji-Hyun Moon ,  Sung-Jin Ann ,  Jae-Hwa Moon

设计人： Ji-Hyun Moon ,  Sung-Jin Ann ,  Jae-Hwa Moon

公开(公告)号：USD617122S1

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US29315995

申请日：2009-08-13

申请人： Jae-Hwa Moon ,  Sung-Jin Ann ,  Ji-Hyun Moon

设计人： Jae-Hwa Moon ,  Sung-Jin Ann ,  Ji-Hyun Moon

公开(公告)号：USD579436S1

公开(公告)日：2008-10-28

申请号：US29290463

申请日：2007-12-07

申请人： Bo-Ra Kim ,  Jae-Hwa Moon ,  Seung-Min Park ,  Chang-Hwan Hwang

设计人： Bo-Ra Kim ,  Jae-Hwa Moon ,  Seung-Min Park ,  Chang-Hwan Hwang

公开(公告)号：USD559224S1

公开(公告)日：2008-01-08

申请号：US29288657

申请日：2007-06-19

申请人： Jae Hwa Moon ,  Min Hyouk Lee ,  Chang Hwan Hwang

设计人： Jae Hwa Moon ,  Min Hyouk Lee ,  Chang Hwan Hwang

公开(公告)号：USD731068S1

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：US29417508

申请日：2012-04-04

申请人： Jae-Hwa Moon ,  Jung-Hoon Kim ,  Jun-Pil Moon

设计人： Jae-Hwa Moon ,  Jung-Hoon Kim ,  Jun-Pil Moon

公开(公告)号：US08680883B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13093016

申请日：2011-04-25

申请人： Yong-sang Cho ,  Jang-hyuk An ,  Ihl-hwa Moon ,  Jae-young Lee ,  Kyung-hwan Kim

发明人： Yong-sang Cho ,  Jang-hyuk An ,  Ihl-hwa Moon ,  Jae-young Lee ,  Kyung-hwan Kim

IPC分类号： G01R31/02 ,  G01R31/12 ,  H01L23/58

CPC分类号： G01R31/261 ,  G01R31/129

摘要： A time dependent dielectric breakdown (TDDB) test structure of a semiconductor device includes: a first test cell having a first test pattern in which a dielectric layer is formed between two electrodes; a second test cell spaced apart from the first test cell and having a second test pattern in which a dielectric layer is formed between two electrodes; and a barrier region configured to prevent electrical interference from occurring between the first test cell and the second test cell during a TDDB test.

摘要翻译： 半导体器件的时间依赖介质击穿（TDDB）测试结构包括：具有第一测试图案的第一测试单元，其中在两个电极之间形成介电层; 第二测试单元，与第一测试单元间隔开，并具有第二测试图案，其中在两个电极之间形成介电层; 以及阻挡区域，被配置为在TDDB测试期间防止在第一测试单元和第二测试单元之间发生电干扰。

公开(公告)号：USD695405S1

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US29417770

申请日：2012-04-09

申请人： Jae-Hwa Moon ,  Jung-Hoon Kim ,  Jun-Pil Moon

设计人： Jae-Hwa Moon ,  Jung-Hoon Kim ,  Jun-Pil Moon