公开(公告)号：US20130210219A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：US13793251

申请日：2013-03-11

申请人： Yeong-Chang CHOU ,  Jay CRAWFORD ,  Jane LEE ,  Jeffrey Ming-Jer YANG ,  John Bradley Boos ,  Nicolas Alexandrou Papanicolaou

发明人： Yeong-Chang CHOU ,  Jay CRAWFORD ,  Jane LEE ,  Jeffrey Ming-Jer YANG ,  John Bradley Boos ,  Nicolas Alexandrou Papanicolaou

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66431 ,  H01L29/7783

摘要： An apparatus in one example comprises an antimonide-based compound semiconductor (ABCS) stack, an upper barrier layer formed on the ABCS stack, and a gate stack formed on the upper barrier layer. The upper barrier layer comprises indium, aluminum, and arsenic. The gate stack comprises a base layer of titanium and tungsten formed on the upper barrier layer.

摘要翻译： 一个实例中的装置包括基于锑化物的化合物半导体（ABCS）堆叠，形成在ABCS堆叠上的上阻挡层和形成在上阻挡层上的栅极堆叠。 上阻挡层包括铟，铝和砷。 栅堆叠包括形成在上阻挡层上的钛和钨的基层。

公开(公告)号：US08421121B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US11788145

申请日：2007-04-18

申请人： Yeong-Chang Chou ,  Jay Crawford ,  Jane Lee ,  Jeffrey Ming-Jer Yang ,  John Bradley Boos ,  Nicolas Alexandrou Papanicolaou

发明人： Yeong-Chang Chou ,  Jay Crawford ,  Jane Lee ,  Jeffrey Ming-Jer Yang ,  John Bradley Boos ,  Nicolas Alexandrou Papanicolaou

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/66431 ,  H01L29/7783

摘要： An apparatus in one example comprises an antimonide-based compound semiconductor (ABCS) stack, an upper barrier layer formed on the ABCS stack, and a gate stack formed on the upper barrier layer. The upper barrier layer comprises indium, aluminum, and arsenic. The gate stack comprises a base layer of titanium and tungsten formed on the upper barrier layer.

公开(公告)号：US20080271351A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US11422394

申请日：2006-06-06

申请人： Jay Crawford

发明人： Jay Crawford

IPC分类号： G03B25/02 ,  B32B38/14 ,  B32B38/04

CPC分类号： G03B25/02 ,  B60R13/00 ,  B60R13/10 ,  Y10T156/1052

摘要： A lenticular license plate including a lenticular lens that has a first surface and a second surface, a plurality of lenses affixed to the first surface of the lenticular lens, a lenticular image printed on a film, and the film is affixed to the second surface of the lenticular lens. The lenticular image may include at least two interlaced images.

摘要翻译： 一种包括具有第一表面和第二表面的双凸透镜的双凸透镜牌，固定在双凸透镜的第一表面上的多个透镜，印刷在膜上的透镜图像，并且该膜固定到 双凸透镜。 透镜图像可以包括至少两个交错图像。

公开(公告)号：US3502043A

公开(公告)日：1970-03-24

申请号：US3502043D

申请日：1967-05-05

申请人： JAY CRAWFORD

发明人： CRAWFORD JAY

IPC分类号： B42B2/02 ,  B42B1/04 ,  B25B5/16

CPC分类号： B42B2/02

公开(公告)号：US3334919A

公开(公告)日：1967-08-08

申请号：US50440465

申请日：1965-10-24

申请人： JAY CRAWFORD

发明人： JAY CRAWFORD

IPC分类号： B42C17/00

CPC分类号： B42C17/00

公开(公告)号：US20080258176A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US11788145

申请日：2007-04-18

申请人： Yeong-Chang Chou ,  Jay Crawford ,  Jane Lee ,  Jeffrey Ming-Jer Yang ,  John Bradley Boos ,  Nicolas Alexandrou Papanicolaou

发明人： Yeong-Chang Chou ,  Jay Crawford ,  Jane Lee ,  Jeffrey Ming-Jer Yang ,  John Bradley Boos ,  Nicolas Alexandrou Papanicolaou

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/335 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L29/66431 ,  H01L29/7783

摘要： An apparatus in one example comprises an antimonide-based compound semiconductor (ABCS) stack, an upper barrier layer formed on the ABCS stack, and a gate stack formed on the upper barrier layer. The upper barrier layer comprises indium, aluminum, and arsenic. The gate stack comprises a base layer of titanium and tungsten formed on the upper barrier layer.

摘要翻译： 一个实例中的装置包括基于锑化物的化合物半导体（ABCS）堆叠，形成在ABCS堆叠上的上阻挡层和形成在上阻挡层上的栅极堆叠。 上阻挡层包括铟，铝和砷。 栅堆叠包括形成在上阻挡层上的钛和钨的基层。

公开(公告)号：US3398038A

公开(公告)日：1968-08-20

申请号：US50442665

申请日：1965-10-24

申请人： JAY CRAWFORD

发明人： JAY CRAWFORD

IPC分类号： B42C7/00

CPC分类号： B42C7/006