公开(公告)号：US20060057471A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US10939966

申请日：2004-09-14

申请人： Koen Schenau ,  Johannes Linders

发明人： Koen Schenau ,  Johannes Linders

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03B27/42 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F7/70466

摘要： Improved complementary phase shift mask (c:PSM) imaging techniques are described, including a method in which scattering bars are provided on the trim mask in order to allow better CD uniformity to be achieved in the double exposure process. The number, size and position of the scattering bars can be optimised to achieve a desired isofocal CD and/or a desired level of sensitivity of the CD to trim exposure energy used in the second exposure step of the c:PSM process. The trim exposure dose can be regulated, and/or the trim width used on the trim mask can be optimised, to compensate for iso-dense bias so as to achieve optical proximity correction.

摘要翻译： 描述了改进的互补相移掩模（c：PSM）成像技术，包括其中在修剪掩模上提供散射棒以在双曝光过程中实现更好的CD均匀性的方法。 可以优化散射棒的数量，大小和位置，以实现期望的同位素CD和/或CD的期望水平的灵敏度以修剪在c：PSM过程的第二曝光步骤中使用的曝光能量。 可以调节修剪曝光剂量，和/或可以优化在修剪掩模上使用的修剪宽度，以补偿等密度偏差，以实现光学邻近校正。

公开(公告)号：US20060192936A1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：US11353235

申请日：2006-02-14

申请人： Koen Schenau ,  Maurice Henricus Janssen ,  Antoine Kiers ,  Hans Laan ,  Peter Vanoppen

发明人： Koen Schenau ,  Maurice Henricus Janssen ,  Antoine Kiers ,  Hans Laan ,  Peter Vanoppen

IPC分类号： G03B27/72

CPC分类号： G03F7/705 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/7085

摘要： A lithographic apparatus includes an illuminator configured to condition a beam of radiation and a support configured to hold a patterning device. The patterning device is configured to pattern the beam of radiation according to a desired pattern. The lithographic apparatus also includes a substrate table configured to hold a substrate and a projection system configured to project the patterned beam onto a target portion of the substrate to form a patterned image on the substrate. The apparatus further includes a sensor configured and arranged to intercept a portion of the beam and to measure a transmission of the beam through at least a portion of the patterning device.

摘要翻译： 光刻设备包括被配置为调节辐射束的照明器和被配置为保持图案形成装置的支撑件。 图案形成装置被配置成根据期望的图案对辐射束进行图案化。 光刻设备还包括被配置为保持衬底的衬底台和配置成将图案化的光束投影到衬底的目标部分上以在衬底上形成图案化图像的投影系统。 所述装置还包括被配置和布置成拦截所述光束的一部分并且测量所述光束通过所述图案形成装置的至少一部分的透射的传感器。

公开(公告)号：US20070259275A1

公开(公告)日：2007-11-08

申请号：US11418465

申请日：2006-05-05

申请人： Maarten Marinus Johannes Van Herpen ,  Vadim Banine ,  Koen Schenau ,  Derk Klunder

发明人： Maarten Marinus Johannes Van Herpen ,  Vadim Banine ,  Koen Schenau ,  Derk Klunder

IPC分类号： G03B27/42 ,  G21K5/00 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/0816 ,  G03F7/70575 ,  G21K1/062

摘要： An EUV mask includes, on top of a multi-layer mirror, a spectral purity enhancement layer, for application in an EUV lithographic apparatus. On top of the spectral purity enhancement layer, a patterned absorber layer is provided. The spectral purity enhancement layer includes a first spectral purity enhancement layer, but between the multi-layer mirror and first spectral purity enhancement layer there may be an intermediate layer or a second spectral purity enhancement layer and intermediate layer. The patterned absorber layer may also itself function as an anti-reflection (AR) coating. The AR effect of this absorber layer is a function of the aperture sizes in the pattern. The spectral purity of a mask may be enhanced, such that DUV radiation is diminished relatively stronger than EUV radiation.

摘要翻译： EUV掩模在多层反射镜之上包括光谱纯度增强层，用于EUV光刻设备中。 在光谱纯度增强层的顶部，提供了图案化的吸收层。 光谱纯度增强层包括第一光谱纯度增强层，但是在多层反射镜和第一光谱纯度增强层之间，可以存在中间层或第二光谱纯度增强层和中间层。 图案化的吸收层本身也可以用作抗反射（AR）涂层。 该吸收层的AR效应是图案中孔径尺寸的函数。 可以增强掩模的光谱纯度，使得DUV辐射比EUV辐射相对更强。